NZT651
电的 特性
ta = 25°c 除非 否则 指出
止 特性
在 characteristics*
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
h
FE
直流 电流增益 I
C
=50 毫安,V
CE
= 2.0V
I
C
=500 毫安, v
CE
= 2.0V
I
C
= 1.0一个,V
CE
= 2.0V
I
C
= 2.0一个,V
CE
= 2.0V
75
75
75
40
V
ce(
sat
)
集电级-EmitterSaturati在 电压 I
C
= 1.0一个,I
B
=100 毫安
I
C
= 2.0一个,I
B
= 200 毫安
0.3
0.5
V
V
V
是(
sat
)
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 1.0一个,I
B
=100 毫安 1.2 V
V
是(
在
)
根基-发射级 在 电压 I
C
= 1.0一个,V
CE
= 2.0V 1.0 V
小 信号 特性
直流 典型 特性
V
(br)ceo
Collector-EmitterS美国tain在gVoltage I
C
=10 毫安,I
B
=060V
V
(br)cbo
Collector-Bas e breakd自己的 voltage I
C
=100
µ
一个, i
E
=0 80 V
V
(br) EBO
Emitter-b作e breakdown voltage
I
E
=100
µ
一个, i
C
=0
5.0 V
I
CBO
Collector-CutoffCurrent V
CB
=80 v, i
E
= 0 100 nA
I
EBO
Emitter-cut的f current V
EB
= 4.0v,I
C
= 0 0.1
µ
一个
f
T
Current gain -带宽 产品 I
C
=50 毫安,V
CE
= 5.0v,
f= 100 mhz
75 MHz
*
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
典型 搏动 电流 增益
vs集电级Current
0.01 0.1 1 10
0
50
100
150
200
I-COLLECTORCURRENT(一个)
h- 典型PULSEDCUrrent 增益
FE
- 40 ºc
25 °c
C
v =5V
CE
125 °c
Collector-发射级 saturation
电压 vs 集电级 电流
P4P
0.01 0.1 1 10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i - 集电级 currENt (一个)
v - 集电级-发射级 电压 (v)
CESAT
C
ββ
= 10
- 40 ºc
25 °c
125 °c
npn 电流 驱动器 晶体管
(持续)
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