NZT560A_集成电路资料查询网

-75
I
C
= 100毫安,v
CE
= 5 v,f=100MHz
Transition frequency
f
T
pF30
V
CB
= 10 v,I
E
= 0, f =1MHz
输出 电容
C
obo
小 信号 特性
V1
I
C
= 1 一个,V
CE
= 2 v
根基-发射级 在 电压
V
是(在)
V1.25
I
C
= 1 一个,I
B
= 100毫安
根基-发射级 饱和 电压
V
是(sat)
mV300
450
400
I
C
= 1 一个,I
B
= 100毫安
I
C
= 3 一个,I
B
= 300毫安
NZT560
NZT560A
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
-
300
550
70
100
250
80
25
I
C
= 100毫安,V
CE
= 2 v
I
C
= 500毫安,V
CE
= 2 v
NZT560
NZT560A
I
C
= 1 一个,V
CE
= 2 v
I
C
= 3 一个,V
CE
= 2 v
直流 电流 增益
h
FE
在特性
*
n一个
100
V
EB
= 4v
发射级 截止 电流
I
EBO
n一个
uA
100
10
V
CB
= 30 v
V
CB
= 30 v,T
一个
=100°C
集电级 截止 电流
I
CBO
V5
I
E
= 100
µ
一个
发射级-根基 损坏 电压
BV
EBO
V80
I
C
= 100
µ
一个
集电级-根基 损坏 电压
BV
CBO
V60
I
C
= 10毫安
集电级-发射级 损坏 电压
BV
CEO
止 特性
单位最大值最小值测试 情况参数标识
NPN低 饱和 transi贮存
(持续)
电的 特性
T
一个 = 25°c 除非 否则 指出
*Pulse测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
nzt560.lwpPrNA7/10/98revC

1998 仙童 半导体 公司
nzt560/nzt560a

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-75 I C = 100毫安,v CE = 5 v,f=100MHz Transition frequency f T pF30 V CB = 10 v,I E = 0, f =1MHz 输出电容 C obo 小信号特性 V1 I C = 1 一个,V CE = 2 v 根基-发射级在电压 V 是(在) V1.25 I C = 1 一个,I B = 100毫安根基-发射级饱和电压 V 是(sat) mV300 450 400 I C = 1 一个,I B = 100毫安 I C = 3 一个,I B = 300毫安 NZT560 NZT560A 集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) - 300 550 70 100 250 80 25 I C = 100毫安,V CE = 2 v I C = 500毫安,V CE = 2 v NZT560 NZT560A I C = 1 一个,V CE = 2 v I C = 3 一个,V CE = 2 v 直流电流增益 h FE 在特性 * n一个 100 V EB = 4v 发射级截止电流 I EBO n一个 uA 100 10 V CB = 30 v V CB = 30 v,T 一个 =100°C 集电级截止电流 I CBO V5 I E = 100 µ 一个发射级-根基损坏电压 BV EBO V80 I C = 100 µ 一个集电级-根基损坏电压 BV CBO V60 I C = 10毫安集电级-发射级损坏电压 BV CEO 止特性单位最大值最小值测试情况参数标识 NPN低饱和 transi贮存 (持续) 电的特性 T 一个 = 25°c 除非否则指出 *Pulse测试: 脉冲波宽度 ≤ 300 µ s, 职责循环 ≤ 2.0% nzt560.lwpPrNA7/10/98revC  1998 仙童半导体公司 nzt560/nzt560a

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