MOC8111 MOC8112 MOC8113
2
motorola optoelectronics 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(1)
典型的 标识 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
输入 led
向前 电压 (i
F
= 10 毫安) T
一个
= 25
°
C
T
一个
= –55
°
C
T
一个
= 100
°
C
V
F
— 1.15
1.3
1.05
1.5 伏特
反转 泄漏 电流 (v
R
= 6 v) I
R
— 0.05 10
µ
一个
电容 (v = 0, f = 1 mhz) C
J
— 18 — pF
输出 晶体管
collector–emitter dark 电流
(v
CE
= 10 v, t
一个
= 25
°
c)
I
CEO
— 1 50 nA
(v
CE
= 10 v, t
一个
= 25
°
c)
CEO
(v
CE
= 10 v, t
一个
= 100
°
c) I
CEO
— 1 —
µ
一个
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 1 毫安) V
(br)ceo
30 45 — 伏特
emitter–collector 损坏 电压 (i
E
= 100
µ
一个) V
(br)eco
7 7.8 — 伏特
collector–emitter 电容 (f = 1 mhz, v
CE
= 0) C
CE
— 7 — pF
结合
输出 集电级 电流 MOC8111
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v) MOC8112
MOC8113
I
C
(ctr)
(2)
2 (20)
5 (50)
10 (100)
5 (50)
10 (100)
20 (200)
—
—
—
毫安 (%)
collector–emitter 饱和 电压 (i
C
= 500
µ
一个, i
F
= 10 毫安) V
ce(sat)
— 0.15 0.4 伏特
turn–on 时间 (i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
)
(3)
t
在
— 7.5 20
µ
s
turn–off 时间 (i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
)
(3)
t
止
— 5.7 20
µ
s
上升 时间 (i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
)
(3)
t
r
— 3.2 —
µ
s
下降 时间 (i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
)
(3)
t
f
— 4.7 —
µ
s
分开 电压 (f = 60 hz, t = 1 秒)
(4)
V
ISO
7500 — — vac(pk)
分开 阻抗 (v = 500 v)
(4)
R
ISO
10
11
— —
Ω
分开 电容 (v = 0, f = 1 mhz)
(4)
C
ISO
— 0.2 — pF
1. 总是 设计 至 这 指定 最小/最大 电的 限制 (在哪里 适用).
2. 电流 转移 比率 (ctr) = i
C
/i
F
x 100%.
3. 为 测试 电路 建制 和 波形, 谈及 至 图示 10.
4. 为 这个 测试, 管脚 1 和 2 是 一般, 和 管脚 4 和 5 是 一般.
I
C
, 输出 集电级 电流 (normalized)
典型 特性
图示 1. led 向前 电压 相比 向前 电流
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
1 10 100 1000
10
1
0.1
0.01
0.5 1
I
F
, led 向前 电流 (毫安)
2 5 10 20 50
I
F
, led 输入 电流 (毫安)
V
F
, 向前 电压 (伏特)
25
°
C
100
°
C
T
一个
= –55
°
C
normalized 至:
I
F
= 10 毫安
图示 2. 输出 电流 相比 输入 电流
脉冲波 仅有的
脉冲波 或者 直流
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