MOCD211
2
motorola optoelectronics 设备 数据
最大 比率 — 持续
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
总的 设备
input–output 分开 电压
(1,2)
(60 hz, 1.0 秒. duration)
V
ISO
3000 vac(rms)
总的 设备 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
250
2.94
mW
mw/
°
C
包围的 运行 温度 范围
(3)
T
一个
–55 至 +100
°
C
存储 温度 范围
(3)
T
stg
–55 至 +150
°
C
含铅的 焊接 温度
(1/16
″
从 情况, 10 秒. 持续时间)
— 260
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(4)
典型的 标识 最小值 典型值
(4)
最大值 单位
输入 led
向前 电压 (i
F
= 1.0 毫安) V
F
— 1.15 1.5 V
反转 泄漏 电流 (v
R
= 6.0 v) I
R
— 0.1 100
m
一个
电容 C — 18 — pF
输出 晶体管
collector–emitter dark 电流 (v
CE
= 5.0 v, t
一个
= 25
°
c) I
CEO
1 — 1.0 50 nA
(v
CE
= 5.0 v, t
一个
= 100
°
c) I
CEO
2 — 1.0 —
µ
一个
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 100
µ
一个) V
(br)ceo
30 90 — V
emitter–collector 损坏 电压 (i
E
= 100
µ
一个) V
(br)eco
7.0 7.8 — V
collector–emitter 电容 (f = 1.0 mhz, v
CE
= 0) C
CE
— 7.0 — pF
结合
输出 集电级 电流 MOCD211
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v)
I
C
(ctr)
(5)
2.0 (20) 6.5 (65) — 毫安 (%)
collector–emitter 饱和 电压 (i
C
= 2.0 毫安, i
F
= 1.0 毫安) V
ce(sat)
— 0.15 0.4 V
turn–on 时间 (i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
) t
在
— 7.5 —
µ
s
turn–off 时间 (i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
) t
止
— 5.7 —
µ
s
上升 时间 (i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
) t
r
— 3.2 —
µ
s
下降 时间 (i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v, r
L
= 100
Ω
) t
f
— 4.7 —
µ
s
input–output 分开 电压 (f = 60 hz, t = 1.0 秒.)
(1,2)
V
ISO
3000 — — vac(rms)
分开 阻抗 (v
I–O
= 500 v)
(2)
R
ISO
10
11
— —
Ω
分开 电容 (v
I–O
= 0, f = 1.0 mhz)
(2)
C
ISO
— 0.2 — pF
1. input–output 分开 电压, v
ISO
, 是 一个 内部的 设备 dielectric 损坏 比率.
2. 为 这个 测试, 管脚 1, 2, 3 和 4 是 一般, 和 管脚 5, 6, 7 和 8 是 common.
3. 谈及 至 质量 和 可靠性 部分 在 opto 数据 书 为 信息 在 测试 情况.
4. 总是 设计 至 这 指定 最小/最大 电的 限制 (在哪里 适用).
5. 电流 转移 比率 (ctr) = i
C
/i
F
x 100%.
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