电的 特性
版本 1.4, march 6, 2003
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O
mni ision
电的 特性
便条:
exceeding 这 绝对 最大 比率 显示 在之上 invalidates 所有 交流 和 直流 电的 规格 和 将
结果 在 永久的 设备 损坏.
表格 2 绝对 最大 比率
包围的 存储 温度
-40ºc 至 +125ºc
供应 电压 (和遵守 至 地面)
V
dd-一个
3V
V
dd-c
3V
V
dd-io
4V
所有 输入/输出 电压 (和 遵守 至 地面)
-0.3v 至 vdd_io+1v
含铅的 温度, 表面-挂载 处理
+230ºC
静电释放 比率, 人 身体 模型
2000V
表格 3 直流 特性 (0°c < t
一个
< 70°c)
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
V
dd-一个
直流 供应 电压 – 相似物 — 2.40 2.5 2.60 V
V
dd-c
直流 供应 电压 – 核心 — 2.25 2.5 2.75 V
V
dd-io
直流 供应 电压 – i/o — 2.25 — 3.3 V
I
DDA
起作用的 (运行) 电流 看 便条
一个
一个. v
dd-一个
= v
dd-c
= 2.5v, v
dd-io
= 3.0v
I
DDA
=
{I
dd-io
+ i
dd-c
+ i
dd-一个
}, f
CLK
= 24mhz 在 30 fps, 非 i/o 加载
15 毫安
I
dds-sccb
备用物品 电流
看 便条
b
b. v
dd-一个
= v
dd-c
= 2.5v, v
dd-io
= 3.0v
I
dds:sccb
谈及 至 一个 sccb-initiated 备用物品, 当 i
dds:pwdn
谈及 至 一个 pwdn 管脚-initiated 备用物品
1mA
I
dds-pwdn
备用物品 电流 10 µA
V
IH
输入 电压 高 CMOS 0.7 x v
dd-io
V
V
IL
输入 电压 低 0.3 x v
dd-io
V
V
OH
输出 电压 高
CMOS
(i
OH
/ i
OL
)
0.9 x v
dd-io
V
V
OL
输出 电压 低 0.1 x v
dd-io
V
I
OH
输出 电流 高 看 便条
c
c. 标准 输出 加载 = 25pf, 1.2k
至 3v
8mA
I
OL
输出 电流 低 15 毫安
I
L
输入/输出 泄漏 地 至 v
dd-io
± 1 µA
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