AD8564ARU_集成电路资料查询网

AD8564
–
5
–
rev. 一个
V
+
DIG
供应 电压
–
V
I
+
DIG
, 供应 电流
–
毫安
3.000
2.500
0.000
24 126810
2.000
1.500
1.000
0.500
T
一个
= +25

C
T
一个
= +85

C
T
一个
=
–
40

C
图示 10. I
+DIG
: 数字的 供应 cur-
rent/比较器 vs. 供应 电压
温度
–

C
I
+
DIG
, 供应 电流
–
毫安
2.000
1.500
0.000
–
75
–
50 150
–
25 0 25 75 100 12550
1.000
0.500
图示 13. I
+DIG
: 数字的 供应 电流/
比较器 vs. 温度
产品
optimizing 高 速 效能
作 和 任何 高 速 比较器 或者 放大器, 恰当的 设计
和 布局 技巧 应当 是 使用 至 确保 最优的 perfor-
mance 从 这 ad8564. 这 效能 限制 的 高 速
电路系统 能 容易地 是 一个 结果 的 偏离 电容, improper
地面 阻抗 或者 其它 布局 issues.
降低 阻抗 从 源 至 这 输入 是 一个 重要的
仔细考虑 在 maximizing 这 高 速 运作 的 这
ad8564. 源 阻抗 在 结合体 和 相等的
输入 电容 可以 导致 一个 lagged 回馈 在 这 输入,
因此 delaying 这 输出. 这 输入 电容 的 这 ad8564
在 结合体 和 偏离 电容 从 一个 输入 管脚 至
地面 可以 结果 在 一些 picofarads 的 相等的 capaci-
tance. 一个 结合体 的 3 k
Ω
源 阻抗 和 5 pf 的
输入 电容 产量 一个 时间 常量 的 15 ns, 这个 是
slower 比 这 5 ns 能力 的 这 ad8564. 源 imped-
ances 应当 是 较少 比 1 k
Ω
为 这 最好的 效能.
它 是 也 重要的 至 提供 绕过 电容 为 这 电源
供应 在 一个 高 速 应用. 一个 1
µ
f electrolytic 绕过
电容 应当 是 放置 在里面 0.5 英寸 的 各自 电源
供应 管脚 至 地面. 这些 电容 将 减少 任何 潜在的
电压 ripples 从 这 电源 供应. 在 增加, 一个 10 nf
陶瓷的 电容 应当 是 放置 作 关闭 作 可能 从 这
电源 供应 管脚 至 地面. 这些 电容 act 作 一个 承担
reservoir 为 这 设备 在 高 频率 切换.
一个 地面 平面 是 推荐 为 恰当的 高 速 perfor-
mance. 这个 能 是 创建 用 使用 一个 持续的 传导性的
平面 在 这 表面 的 这 电路 板, 仅有的 准许 breaks
在 这 平面 为 需要 电流 paths. 这 地面 平面
提供 一个 低 电感 地面, eliminating 任何 潜在的
differences 在 不同的 地面 点 全部地 这 电路
板 造成 从 “ground bounce.” 一个 恰当的 地面 平面
也 降低 这 影响 的 偏离 电容 在 这 电路
板.
输出 加载 仔细考虑
这 ad8564 输出 能 deliver 向上 至 40 毫安 的 输出 电流
没有 任何 重大的 增加 在 传播 延迟. 这 输出-
放 的 这 设备 应当 不 是 连接 至 更多 比 twenty
(20) ttl 输入 逻辑 门, 或者 驱动 一个 加载 阻抗 较少 比
100
Ω
.
至 确保 这 最好的 效能 从 这 ad8564 它 是 impor-
tant 至 降低 电容的 加载 的 这 输出 的 这 设备.
电容的 负载 更好 比 50 pf 将 导致 ringing 在 这
输出 波形 和 将 减少 这 运行 带宽 的
这 比较器. 传播 延迟 将 也 增加 和
电容的 负载 在之上 100 pf.
温度
–

C
I
–
ANA
, 供应 电流
–
毫安
0.000
–
1.000
–
5.000
–
75
–
50 150
–
25 0 25 75 100 12550
–
2.000
–
3.000
–
4.000
V
+ANA
=

5V
V
+ANA
= +5v
图示 12. I
–
ANA
: 相似物 供应 cur-
rent/比较器 vs. 温度
温度
–

C
I
+
ANA
, 供应 电流
–
毫安
5.000
4.000
0
–
75
–
50 150
–
25 0 25 75 100 12550
3.000
2.000
1.000
V
+ANA
=

5V
V
+ANA
= +5v
图示 11. I
+ANA
: 相似物 供应 cur-
rent/比较器 vs. 温度

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AD8564 – 5 – rev. 一个 V + DIG 供应电压 – V I + DIG , 供应电流 – 毫安 3.000 2.500 0.000 24 126810 2.000 1.500 1.000 0.500 T 一个 = +25  C T 一个 = +85  C T 一个 = – 40  C 图示 10. I +DIG : 数字的供应 cur- rent/比较器 vs. 供应电压温度 –  C I + DIG , 供应电流 – 毫安 2.000 1.500 0.000 – 75 – 50 150 – 25 0 25 75 100 12550 1.000 0.500 图示 13. I +DIG : 数字的供应电流/ 比较器 vs. 温度产品 optimizing 高速效能作和任何高速比较器或者放大器, 恰当的设计和布局技巧应当是使用至确保最优的 perfor- mance 从这 ad8564. 这效能限制的高速电路系统能容易地是一个结果的偏离电容, improper 地面阻抗或者其它布局 issues. 降低阻抗从源至这输入是一个重要的仔细考虑在 maximizing 这高速运作的这 ad8564. 源阻抗在结合体和相等的输入电容可以导致一个 lagged 回馈在这输入, 因此 delaying 这输出. 这输入电容的这 ad8564 在结合体和偏离电容从一个输入管脚至地面可以结果在一些 picofarads 的相等的 capaci- tance. 一个结合体的 3 k Ω 源阻抗和 5 pf 的输入电容产量一个时间常量的 15 ns, 这个是 slower 比这 5 ns 能力的这 ad8564. 源 imped- ances 应当是较少比 1 k Ω 为这最好的效能. 它是也重要的至提供绕过电容为这电源供应在一个高速应用. 一个 1 µ f electrolytic 绕过电容应当是放置在里面 0.5 英寸的各自电源供应管脚至地面. 这些电容将减少任何潜在的电压 ripples 从这电源供应. 在增加, 一个 10 nf 陶瓷的电容应当是放置作关闭作可能从这电源供应管脚至地面. 这些电容 act 作一个承担 reservoir 为这设备在高频率切换. 一个地面平面是推荐为恰当的高速 perfor- mance. 这个能是创建用使用一个持续的传导性的平面在这表面的这电路板, 仅有的准许 breaks 在这平面为需要电流 paths. 这地面平面提供一个低电感地面, eliminating 任何潜在的 differences 在不同的地面点全部地这电路板造成从 “ground bounce.” 一个恰当的地面平面也降低这影响的偏离电容在这电路板. 输出加载仔细考虑这 ad8564 输出能 deliver 向上至 40 毫安的输出电流没有任何重大的增加在传播延迟. 这输出- 放的这设备应当不是连接至更多比 twenty (20) ttl 输入逻辑门, 或者驱动一个加载阻抗较少比 100 Ω . 至确保这最好的效能从这 ad8564 它是 impor- tant 至降低电容的加载的这输出的这设备. 电容的负载更好比 50 pf 将导致 ringing 在这输出波形和将减少这运行带宽的这比较器. 传播延迟将也增加和电容的负载在之上 100 pf. 温度 –  C I – ANA , 供应电流 – 毫安 0.000 – 1.000 – 5.000 – 75 – 50 150 – 25 0 25 75 100 12550 – 2.000 – 3.000 – 4.000 V +ANA =  5V V +ANA = +5v 图示 12. I – ANA : 相似物供应 cur- rent/比较器 vs. 温度温度 –  C I + ANA , 供应电流 – 毫安 5.000 4.000 0 – 75 – 50 150 – 25 0 25 75 100 12550 3.000 2.000 1.000 V +ANA =  5V V +ANA = +5v 图示 11. I +ANA : 相似物供应 cur- rent/比较器 vs. 温度

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