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资料编号:526260
 
资料名称:P07D03LV
 
文件大小: 360.38K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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2
oct-14-2002
双 n-频道 增强 模式
地方 效应 晶体管
P07D03LV
sop-8
niko-sem
V
GS
= 2.5v, i
D
= 5a 40 48
流-源 在-状态
阻抗
1
R
ds(在)
V
GS
= 4.5v, i
D
= 6a 23 30
m
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 7a 18 25
向前 跨导
1
g
fs
V
DS
= 15v, i
D
= 5a 16 S
动态
输入 电容 C
iss
830
输出 电容 C
oss
185
反转 转移 电容 C
rss
V
GS
= 0v, v
DS
= 15v, f = 1mhz
80
pF
总的 门 承担
2
Q
g
9 13
门-源 承担
2
Q
gs
2.8
门-流 承担
2
Q
gd
V
DS
= 0.5v
(br)dss
, v
GS
= 5v,
I
D
= 7a
3.1
nC
转变-在 延迟 时间
2
t
d(在)
5.7
上升 时间
2
t
r
V
DS
= 15v 10
转变-止 延迟 时间
2
t
d(止)
I
D
1a, v
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Ω
18
下降 时间
2
t
f
5
nS
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
°
c)
持续的 电流 I
S
3
搏动 电流
3
I
SM
6
一个
向前 电压
1
V
SD
I
F
= 1a, v
GS
= 0v 1 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 5a, dl
F
/dt = 100a /
µ
S
15.5 nS
反转 恢复 承担 Q
rr
7.9 nc
1
脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度
300
µ
秒, 职责 循环
2%.
2
独立 的 运行 温度.
3
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
remark: 这 产品 marked 和 “p07d03lv”, 日期 代号 或者 lot #
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