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资料编号:526752
 
资料名称:P121
 
文件大小: 32.86K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
p100 序列
6
公告 i27125 rev. 一个 04/99
www.irf.com
图. 6 - 最大 非-repetitive surge 电流
图. 7 - 最大 非-repetitive surge 电流
图. 9 - 门 特性
图. 8 - 热的 阻抗 z
thJC
特性
150
200
250
300
350
1 10 100
号码 的 equal 一个mplitude half循环 电流 pulses (n)
Pe akHalf sineWave-stateCurre nt(一个)
p100 序列
每 六月ction
在 任何 评估 loadConditi在 和 with
RatedVApplied following surge.
RRM
最初的 t = 125
°C
@ 60 hz 0.0083 s
@ 50 hz 0.0100 s
J
100
150
200
250
300
350
400
0.01 0.1 1
脉冲波 train 持续时间 (s)
Peak half sine 波-state curre nt (一个)
最大 n在 repetitive surge current
相比Pulse tra在 duration. Con trol
的 传导 将 不 是 maintained.
ialT= 125
°C
非 voltage reapplied
评估 v reapplied
RRM
J
p100 序列
每 接合面
0.01
0.1
1
10
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (s)
SteadySte值:
r = 2.24k/w
(dCOperati在)
p100 序列
每 接合面
thJC
thJC
瞬时 热的 阻抗 z (k/w)
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100
(b)
(一个)
Rectangular门 脉冲波
(4)
(3) (2) (1)
Instantaneous门 电流(一个)
instantaneous 门 电压 (v)
频率 限制
用 pg(av)
tj = -40
°C
tj = 25 °c
tj = 125 °c
一个)recomm结束 load lin e f或者
b)recomm结束 load lin e f或者
(1) pgm= 100 w, tp =500
µs
(2) pgm = 50 w, tp = 1ms
(3) pgm= 20 w, tp = 25ms
(4) pgm = 10 w, tp = 5ms
IGD
p100 序列
评估di/dt : 10v, 20 ohms, tr <= 1µs
评估 di/dt : 10 v, 65 ohms, tr <= 1µs
VG D
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