P2504BDG_集成电路资料查询网

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JAN-17-2005
N-频道 逻辑 水平的 增强 
模式 地方 effect 晶体管 ( 初步的 )
P2504BDG
至-252 (dpak)
含铅的-自由
NIKO-SEM
绝对 最大 比率 (t
C
= 25 °c 除非 否则 指出)
参数/测试 情况 标识 限制 单位
流-源 电压  V
DS
 40 V
门-源 电压 V
GS
 ±20 V
T
C
= 25°C 12
持续的 流 电流
T
C
= 100°C
I
D
10
搏动 流 current
1
 I
DM
 45
一个
T
C
= 25 °c 41
电源 消耗
T
C
= 100 °c
P
D
32
W
运行 接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
j
, t
stg
 -55 至 150
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) T
L
 275
°C
热的 阻抗 比率
热的 阻抗 标识 TYPICAL 最大 单位
接合面-至-情况
R
θ
J
c
3 °c / w
接合面-至-包围的 R
θ
JA
75 °c / w
1
脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2
职责 循环
≤
1 
电的 特性 (t
C
= 25 °c, 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 conditiONS
最小值 典型值 最大值
单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
 V
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个 40  
门 门槛 电压 V
gs(th)
 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个 1 2.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
 V
DS
= 0v, v
GS
=±20V   ±250 nA
V
DS
= 32v, v
GS
= 0v   1
零 门 电压 流 current I
DSS
V
DS
= 30v, v
GS
= 0v, t
C
= 125 °c   10
µ
一个
在-状态 流 电流
1
 I
d(在)
 V
DS
= 10v, v
GS
= 10v 45   一个
V
GS
= 4.5v, i
D
=10一个  35 45
流-源 在-状态 阻抗
1
R
ds(在)
V
GS
= 10v, i
D
= 12一个  21 25
m 
1. 门
2. 流
3. 源
产品 summary
V
(br)dss
 R
ds(在)
 I
D
40V
25m
12一个
G
D
S

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1 JAN-17-2005 N-频道逻辑水平的增强模式地方 effect 晶体管 ( 初步的 ) P2504BDG 至-252 (dpak) 含铅的-自由 NIKO-SEM 绝对最大比率 (t C = 25 °c 除非否则指出) 参数/测试情况标识限制单位流-源电压 V DS 40 V 门-源电压 V GS ±20 V T C = 25°C 12 持续的流电流 T C = 100°C I D 10 搏动流 current 1 I DM 45 一个 T C = 25 °c 41 电源消耗 T C = 100 °c P D 32 W 运行接合面 &放大; 存储温度范围 T j , t stg -55 至 150 含铅的温度 ( 1 / 16 ” 从情况为 10 秒.) T L 275 °C 热的阻抗比率热的阻抗标识 TYPICAL 最大单位接合面-至-情况 R θ J c 3 °c / w 接合面-至-包围的 R θ JA 75 °c / w 1 脉冲波宽度限制用最大接合面温度. 2 职责循环 ≤ 1 电的特性 (t C = 25 °c, 除非否则指出) 限制参数标识测试 conditiONS 最小值典型值最大值单位静态的流-源损坏电压 V (br)dss V GS = 0v, i D = 250 µ 一个 40 门门槛电压 V gs(th) V DS = v GS , i D = 250 µ 一个 1 2.0 3.0 V 门-身体泄漏 I GSS V DS = 0v, v GS =±20V ±250 nA V DS = 32v, v GS = 0v 1 零门电压流 current I DSS V DS = 30v, v GS = 0v, t C = 125 °c 10 µ 一个在-状态流电流 1 I d(在) V DS = 10v, v GS = 10v 45 一个 V GS = 4.5v, i D =10一个 35 45 流-源在-状态阻抗 1 R ds(在) V GS = 10v, i D = 12一个 21 25 m 1. 门 2. 流 3. 源产品 summary V (br)dss R ds(在) I D 40V 25m 12一个 G D S

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