28f001bx-t28f001bx-b
程序 SetupProgram Commands
程序编制 是 executed 用 一个 二-写 sequence
这 程序 建制 command (40h) 是 写 至 这
Command Register followed 用 一个 第二 写
specifying 这 地址 和 数据 (latched 在 这 ris-
ing 边缘 的 我们
) 至 是 programmed 这 WSM
然后 takes over controlling 这 程序 和 核实
algorithms internally 之后 这 二-command pro-
gram sequence 是 写 至 it 这 28F001BX 自动-
matically 输出 状态 寄存器 数据 当 读
(看 图示 9 字节 程序 flowchart) 这 CPU
能 发现 这 completion 的 这 程序 事件 用
analyzing 这 WSM 状态 位 的 这 状态 Register
仅有的 这 读 状态 寄存器 command 是 有效的
当 程序编制 是 active
当 这 状态 寄存器 indicates 那 程序-
ming 是 complete 这 程序 状态 位 应当 是
checked 如果 程序 错误 是 detected 这 状态
寄存器 应当 是 cleared 这 内部的 WSM 核实
仅有的 发现 errors 为 ‘‘1s’’ 那 做 不 successfully
程序 至 ‘‘0s’’ 这 Command 寄存器 仍然是 在
读 状态 寄存器 模式 直到 更远 commands
是 issued 至 it 如果 字节 程序 是 attempted 当
V
PP
e
V
PPL
这 V
PP
状态 位 将 是 设置 至 ‘‘1’’
程序 attempts 当 V
PPL
k
V
PP
k
V
PPH
pro-
duce spurious 结果 和 应当 不 是 attempted
扩展 ERASEPROGRAM
CYCLING
可擦可编程只读存储器 cycling failures 有 总是 影响
users 这 高 电的 地方 必需的 用 薄的 oxide
EEPROMs 为 tunneling 能 literally tear apart 这
oxide 在 defect regions 至 combat this 一些 sup-
pliers 有 执行 多余 schemes re-
ducing cycling failures 至 微不足道的 levels howev-
er 多余 需要 那 cell 大小 是 doubled 一个
expensive solution
Intel 有 设计 扩展 cycling 能力 在
它的 ETOX flash 记忆 technology 结果 im-
provements 在 cycling 可靠性 来到 没有 在-
creasing 记忆 cell 大小 或者 complexity First 一个
先进的 tunnel oxide 增加 这 承担 carry-
ing 能力 ten-fold Second 这 oxide 范围 每 cell
subjected 至 这 tunneling 电的 地方 是 一个-
tenth 那 的 一般 EEPROMs 降低 这
probability 的 oxide defects 在 这 region Finally 这
顶峰 electric 地方 在 erasure 是 大概 2
Mvcm 更小的 比 EEPROM 这 更小的 electric 地方
非常 减少 oxide 压力 和 这 probability 的
failure
这 28f001bx-b 和 28f001bx-t 是 有能力 的
100000 programerase 循环 在 各自 参数
block 主要的 块 和 激励 block
在-碎片 程序编制
ALGORITHM
这 28F001BX integrates 这 快 脉冲波 程序-
ming algorithm 的 较早的 Intel Flash 记忆 设备
在-chip 使用 这 Command Register 状态 regis-
ter 和 写 状态 机器 (wsm) 在-碎片 inte-
gration dramatically 使简化 系统 软件 和
提供 处理器-像 接口 timings 至 这
Command 和 状态 Registers WSM operation 在-
ternal 程序 核实 和 V
PP
高 电压 存在
是 监控 和 reported 通过 适合的 状态
寄存器 bits 图示 9 显示 一个 系统 软件
flowchart 为 设备 programming 这 全部 se-
quence 是 执行 和 V
PP
在 V
PPH
程序
abort occurs 当 RP
transitions 至 V
IL
orV
PP
drops 至 V
PPL
虽然 这 WSM 是 halted 字节
数据 是 partially 编写程序 在 这 location 在哪里
程序编制 是 aborted 块 erasure 或者 一个 re-
peat 的 字节 程序编制 将 initialize 这个 数据 至 一个
知道 value
在-碎片 擦掉 ALGORITHM
作 above 这 快 擦掉 algorithm 的 较早的 Intel
Flash 记忆 设备 是 now 执行 内部的-
ly 包含 所有 preconditioning 的 块 data WSM
operation 擦掉 success 和 V
PP
高 电压 pres-
ence 是 监控 和 reported 通过 这 状态
Register Additionally 如果 一个 command 其它 比
擦掉 Confirm 是 写 至 这 设备 之后 擦掉
建制 有 被 written 两个都 这 擦掉 状态 和
程序 状态 位 将 是 设置 至 ‘‘1’’ 当 issuing
这 擦掉 建制 和 擦掉 Confirm commands 它们
应当 是 写 至 一个 地址 在里面 这 地址
范围 的 这 块 至 是 erased 图示 10 显示 一个
系统 软件 flowchart 为 块 erase
擦掉 典型地 takes 1–4 秒 每 block 这
擦掉 SuspendErase 重新开始 command sequence
准许 中断 的 这个 擦掉 运作 至 读 数据
从 一个 块 其它 比 那 在 这个 擦掉 是
正在 执行
一个 系统 软件 flowchart 是
显示 在 图示 11
这 全部 sequence 是 执行 和 V
PP
在 V
PPH
Abort occurs 当 RP
transitions 至 V
IL
或者 V
PP
falls 至 V
PPL
当 擦掉 是 在 progress 块 数据 是
partially erased 用 这个 operation 和 一个 repeat 的
擦掉 是 必需的 至 获得 一个 全部地 erased block
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