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资料编号:532695
 
资料名称:STP5N30
 
文件大小: 199.9K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
STP5N30
STP5N30FI
N - 频道 增强 模式
电源 MOS 晶体管
典型 R
ds(在)
= 1.2
AVALANCHE 坚毅的 技术
100% AVALANCHE 测试
REPETITIVE AVALANCHE 数据 100
o
C
应用 朝向
描绘
产品
切换
转变 模式 电源 供应 (smps)
CHOPPER regulators, 转换器,
发动机 控制, LIGHTING
工业的 消费者
环境
特别 合适的
电子的 FLUORESCENT LAMP
BALLASTS
内部的 图式 图解
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP5N30
STP5N30FI
300 V
300 V
<1.4
<1.4
5A
3.5 一个
1
2
3
至-220 ISOWATT220
12月 1996
绝对 最大 比率
Symbol 参数 Value 单位
STP5N30 STP5N30FI
V
DS
流-source 电压 (v
GS
=0) 300 V
V
DG R
流- 电压 (r
GS
=20k
)300v
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
电流 (内容inuous) T
c
=25
o
c53.5a
I
D
电流 (内容inuous) T
c
=100
o
c3.2 2.2a
I
DM
(
) 电流 (搏动) 20 20 一个
P
tot
总的 消耗 T
c
=25
o
C7535W
减额 Factor 0.6 0.28 w/
o
C
V
ISO
Insulation 承受 Voltage (直流)
2000 V
T
stg
Storage Temperature -65 150
o
C
T
j
最大值 Operating 接合面 Temperature 150
o
C
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
1
2
3
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