飞利浦 半导体
P89C669
80c51 8-位 微控制器 家族 和 扩展 记忆
产品 数据 rev. 02 — 13 十一月 2003 11 的 33
9397 750 12299
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
7. 函数的 描述
7.1 flash 记忆 描述
这 p89c669 包含 96 kbytes 的 flash 程序 记忆. 它 是 有组织的 作
12 独立的 blocks, 各自 块 containing 8 kbytes.
这 P89C669 Flash 记忆 augments 非易失存储器 符合实际 和 在-电路 电的
erasure 和 程序编制. 这 flash 能 是 读 和 写 作 字节. 这 碎片
擦掉 运作 将 擦掉 这 全部 程序 记忆. 这 块 擦掉 函数 能
擦掉 任何 flash 字节 块. 在-系统 程序编制 和 标准 并行的
程序编制 是 两个都 有. 在-碎片 擦掉 和 写 定时 一代 contribute
至 一个 用户 friendly 程序编制 接口. 这 P89C669 Flash reliably stores 记忆
内容 甚至 之后 10,000 擦掉 和 程序 循环. 这 cell 是 设计 至
优化 这 擦掉 和 程序编制 mechanisms. 在 增加, 这 结合体 的
先进的 tunnel oxide 处理 和 低 内部的 electric fields 为 擦掉 和
程序编制 行动 生产 可依靠的 cycling. 这 p89c669 使用 一个 +5 v v
PP
供应 至 执行 这 程序/擦掉 algorithms.
•
flash 内部的 程序 记忆 和 块 擦掉.
•
内部的 4 kbytes 激励 flash, containing 低-水平的 在-系统 程序编制 routines
和 一个 default uart loader. 用户 程序 能 call 这些 routines 至 执行
在-应用 程序编制 (iap). 这 bootflash 能 是 转变 止 至 提供
进入 至 这 全部 8 mbytes 记忆 空间.
•
激励 vector 准许 用户 提供 flash loader 代号 至 reside anywhere 在 这
flash 记忆 空间. 这个 configuration 提供 flexibility 至 这 用户.
•
Default loader 在 BootFlash 准许 程序编制 通过 这 UART 接口 没有 这
需要 为 一个 用户 提供 loader.
•
向上 至 8 mbytes 的 外部 程序 记忆 如果 这 内部的 程序 记忆 是
无能 (ea = 0).
•
+5 v 程序编制 和 擦掉 电压.
•
读/程序编制/擦掉 使用 isp/iap:
–
字节 程序编制 (20
µ
s).
–
典型 快 擦掉 时间 (包含 preprogramming 时间):
–
块 擦掉 (8 kbytes) 在 1 第二.
–
全部 擦掉 (96 kbytes) 在 1 第二.
•
并行的 程序编制 和 87c51-像 硬件 接口 至 programmer.
•
可编程序的 安全 为 这 代号 在 这 flash.
•
10,000 最小 擦掉/程序 循环 为 各自 字节.
•
10 年 最小 数据 保持.
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