SP8K4
晶体管
1/3
切换 (30v, 9.0a)
SP8K4
z
特性
1) 低 在-阻抗.
2) 建造-在 g-s 保护 二极管.
3) 小 和 表面 挂载 包装 (sop8).
z
应用
电源 切换, 直流 / 直流 转换器.
z
结构
硅 n-频道
mos 场效应晶体管
z
外部 维度
(单位 : mm)
各自 含铅的 有 一样 维度
SOP8
5.0
±
0.2
0.2
±
0.1
6.0
±
0.3
3.9
±
0.15
0.5
±
0.1
(
1
)
(
4
)
(
8
)
(
5
)
最大值.1.75
1.27
0.15
0.4
±
0.1
1.5
±
0.1
0.1
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
它 是 这 一样 比率 为 这 tr. 1 和 tr. 2.
参数
VV
DSS
标识
VV
GSS
AI
D
AI
DP
AI
S
AI
SP
WP
D
°
CTch
°
CTstg
单位
流-源 电压
门-源 电压
流 电流
总的 电源 消耗
频道 温度
存储 温度
持续的
搏动
持续的
源 电流
(身体 二极管)
搏动
30
20
±
9.0
±
36
1.6
6.4
2
150
−
55 至
+
150
限制
∗
1
∗
1
∗
2
∗
1 pw
10
µ
s, 职责 循环
1%
∗
2 挂载 在 一个 陶瓷的 板.
z
相等的 电路
(1) tr1 源
(2) tr1 门
(3) tr2 源
(4) tr2 门
(5) tr2 流
(6) tr2 流
(7) tr1 流
(8) tr1 流
∗
1 静电释放 保护 二极管
∗
2 身体 二极管
(1) (2) (3) (4)
(8) (7) (6) (5)
∗
2
∗
1
∗
2
∗
1
(8) (7)
(1) (2)
(6) (5)
(3) (4)
∗
一个 保护 二极管 是 包含 在 这 门 和
这 源 terminals 至 保护 这 二极管 相反 静态的
electricity 当 这 产品 是 在 使用. 使用 这 保护
电路 当 这 fixed 电压 是 超过.
z
热的 阻抗
(ta=25
°
c)
°
c / w
rth (ch-一个) 62.5
参数 标识 限制 单位
频道 至 包围的
∗
∗
挂载 在 一个 陶瓷的 板.