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进步 信息
12月 1997 顺序 号码: 290599-004
n
smartvoltage 技术
smart 5 flash: 5 v 读,
5 v 或者 12 v 写
增加 程序编制 throughput
在 12 v v
PP
n
非常 高-效能 读
2-, 4-mbit: 60 ns 进入 时间
8-mbit: 70 ns 进入 时间
n
x8 或者 x8/x16-configurable 数据 总线
n
低 电源 消耗量
最大值 60 毫安 读 电流 在 5 v
自动 电源 savings: <1 毫安 典型
备用物品 电流
n
优化 排列 blocking architecture
16-kb 保护 激励 块
二 8-kb 参数 blocks
96-kb 和 128-kb 主要的 blocks
顶 或者 bottom 激励 locations
n
扩展 温度 运作
–40 °c 至 +85 °c
n
工业-标准 包装
40, 48-含铅的 tsop, 44-含铅的 psop
n
扩展 块 擦掉 cycling
100,000 循环 在 商业的 温度
10,000 循环 在 扩展 温度
n
硬件 数据 保护 特性
绝对 硬件-保护 为
激励 块
写 lockout 在 电源
Transitions
n
automated 文字/字节 程序 和
块 擦掉
command 用户 接口
状态 寄存器
擦掉 suspend 能力
n
sram-兼容 写 接口
n
重置/深的 电源-向下 输入
提供 低-电源 模式 和
重置 为 激励 行动
n
引脚 兼容 2, 4, 和 8 mbit
n
etox™ flash 技术
0.6
µ
etox iv 最初的 生产
0.4
µ
etox v 后来的 生产
intel’s smart 5 激励 块 flash 记忆 家族 提供 2-, 4-, 和 8-mbit memories featuring high-density,
低-费用, nonvolatile, 读/写 存储 解决方案 为 一个 宽 范围 的 产品. 它们的 asymmetrically-
blocked architecture, 有伸缩性的 电压, 和 扩展 cycling 提供 高级地 有伸缩性的 组件 合适的 为
embedded 代号 执行 产品, 此类 作 networking infrastructure 和 办公室 automation.
为基础 在 intel’s 激励 块 architecture, 这 smart 5 激励 块 记忆 家族 使能 快 和 容易
升级 为 设计 那 要求 状态-的-这-艺术 技术. 这个 家族 的 产品 comes 在 工业-
标准 包装: 这 40-含铅的 tsop 为 非常 空间-constrained 8-位 applications, 48-lead tsop, 完美的 为
板-constrained 高等级的-效能 16-位 产品, 和 这 rugged, 容易 至 handle 44-lead psop.
smart 5 激励 块
flash 记忆 家族
2, 4, 8 mbit
28f200b5, 28f400b5, 28f800b5, 28f004b5
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