smart 5 激励 块 记忆 家族
E
10
进步 信息
28F004B5
激励 块
40-含铅的 TSOP
10mmx20mm
顶 视图
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RP#
WE#
V
PP
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DQ
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CE#
OE#
地
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DQ
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DQ
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V
CC
DQ
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地
NC
一个
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NC
NC
一个
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V
CC
图示 3. 40-含铅的 tsop 引脚 图解 (有 在 4-mbit only)
2.3 记忆 blocking organization
这 激励 块 产品 家族 特性 一个
asymmetrically-blocked architecture 供应
系统 记忆 integration. 各自 擦掉 块 能
是 erased independently 的 这 其他 向上 至
100,000 时间 为 商业的 温度 或者 向上 至
10,000 时间 为 扩展 温度. 这 块
sizes 有 被 选择 至 优化 它们的
符合实际 为 一般 产品 的 nonvolatile
存储. 这 结合体 的 块 sizes 在 这 激励
块 architecture 准许 这 integration 的 一些
memories 在 一个 单独的 碎片. 为 这 地址
locations 的 这 blocks, 看 这 记忆 maps 在
计算数量 4, 5, 6 和 7.
2.3.1 一个 16-kb 激励 块
这 激励 块 是 将 至 替代 一个 专心致志的
激励 prom 在 一个 微处理器 或者 微控制器-
为基础 系统. 这 16-kbyte (16,384 字节) 激励
块 是 located 在 也 这 顶 (denoted 用 -t
后缀) 或者 这 bottom (-b 后缀) 的 这 地址 编排
至 accommodate 不同的 微处理器 protocols
为 激励 代号 location. 这个 激励 块 特性
硬件 controllable 写-保护 至 保护 这
crucial 微处理器 激励 代号 从 意外的
修改. 这 保护 的 这 激励 块 是
控制 使用 一个 结合体 的 这 v
PP
, rp#, 和
wp# 管脚, 作 是 详细地 在 部分
3.3.
2.3.2 二 8-kb 参数 blocks
各自 激励 块 组件 包含 二 参数
blocks 的 8 kbytes (8,192 字节) 各自 至 facilitate
存储 的 frequently updated 小 参数 那
将 正常情况下 需要 一个 可擦可编程只读存储器. 用 使用
软件 技巧, 这 字节-rewrite 符合实际
的 eeproms 能 是 emulated. 这些 技巧
是 详细地 在 intel’s 应用 便条,
ap-604
使用 intel’s 激励 块 flash 记忆 参数
blocks 至 替代 可擦可编程只读存储器
. 这 参数 blocks
是 不 写-protectable.
2.3.3 主要的 blocks - 一个 96-kb +
额外的 128-kb blocks
之后 这 allocation 的 地址 空间 至 这 激励
和 参数 blocks, 这 remainder 是 分隔 在
主要的 blocks 为 数据 或者 code 存储. 各自 设备
包含 一个 96-kbyte (98,304 字节) 块 和
额外的 128-kbyte (131,072 字节) blocks. 这
2-mbit 有 一个 128-kb 块; 这 4-mbit, three; 和
这 8-mbit, 七.
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