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8-mbit smartvoltage 激励 块 flash 记忆 家族
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产品 预告(展)
1.0 产品 家族
OVERVIEW
这个 数据手册 包含 这 规格
为 这 二 分支 的 产品 在 这
smartvoltage 8-mbit 激励 块 flash
记忆 家族: 这 -是/ce 后缀
产品 特性 一个 低 v
CC
运行 范围
的 2.7–3.6v; 这 -bv/cv 后缀 产品
提供
3.0–3.6v 运作. 两个都 是/ce 和
bv/cv 产品 也 运作 在 5v 为
高-速 进入 时间. 全部地 这个
数据手册, 这 28f800 谈及 至 所有 x8/x16
8-mbit 产品, 当 28f008b 谈及 至
所有 x8 8-mbit 激励 块 产品 (但是 不
至 这 28f008sa flashfile™ 记忆).
也, 这 期 “2.7v” 一般地 意思 这
全部 电压 范围 2.7–3.6v. 部分 1
提供 一个 overview 的 这 flash 记忆
家族 包含 产品, pinouts 和
管脚 描述. sections 2 和 3 describe
这 记忆 organization 和 运作 为
这些 产品. 最终, sections 4, 5 和 6
包含 这 家族’s 运行
规格.
1.1 新 特性 在 这
smartvoltage 产品
这 新 8-mbit smartvoltage 激励 块
flash 记忆 家族 提供 一个
便利的 密度 upgrade path 从 这
2-mbit 和 4-mbit 激励 块 产品.
这 8-mbit 激励 块 功能 similarly
至 更小的 密度 激励 块 产品 在
两个都 command sets 和 运作,
供应 类似的 pinouts 至 使容易 密度
升级.
至 upgrade 从 更小的 密度 -bx/bl-
后缀 12v 程序 产品, 请 便条
这 下列的 differences 和 指导原则:
•
wp# 管脚 有 replaced du (don’t 使用)
管脚 #12 在 这 40-含铅的 tsop 包装.
在 这 44-含铅的 psop, du 管脚 #2 是
replaced 和 一个
18
(看 图示1和
部分 3.4 为 详细信息). 连接 这
wp# 管脚 至 控制 信号 或者 至 v
CC
或者
地 (在 这个 情况, 一个 逻辑-水平的 信号
能 是 放置 在 du 管脚 #12 为 40-
含铅的 tsop). 看 tables2和 9 至 看
如何 这 wp# 管脚 工作.
•
5v 程序/擦掉 运作 有 被
增加. 如果 切换 v
PP
为 写
保护, 转变 至 地 (不 5v) 为
完全 写 保护. 至 引领
有利因素 的 5v 写-能力, 准许
为 连接 5v 至 v
PP
和
disconnecting 12v 从 v
PP
线条.
•
增强 电路 优化 低 v
CC
效能, 准许 运作 向下
至 v
CC
=2.7v (使用 这 是/ce
产品).
至 upgrade 从 更小的 密度
smartvoltage 激励 块 产品, 这
类似的 pinouts 在 这 40-含铅的 和 48-含铅的
tsop 包装 提供 容易 升级 用
adding extra 地址 线条 (看 计算数量1
和3). 在 这 44-含铅的 tsop, 这 wp# 管脚
在 这 2-mbit 和 4-mbit bv 部分
变为 一个
18
, removing 这 能力 至
unlock 这 激励 块 和 一个 逻辑-水平的
信号 在 这个 包装
仅有的
. 这 激励 块
能 安静的 是 unlocked 和 12v 在 rp# (看
图示2和 部分 3.4 为 详细信息).
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