1998 8月 10 4
飞利浦 半导体 产品 规格
uhf wideband 晶体管 PBR941
特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
便条
1. G
UM
是 这 最大 unilateral 电源 增益, 假设 s
12
是 零.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 特性
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 100
µ
一个; i
E
=0 20
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 100
µ
一个; i
B
=0 10
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=10
µ
一个; i
C
= 0 1.5
−−
V
I
CBO
集电级-根基 泄漏 电流 V
CB
=10v; i
E
=0
−−
100 nA
I
EBO
发射级-根基 泄漏 电流 V
EB
=1v; i
C
=0
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 6 V 50 100 200
I
C
= 15 毫安; v
CE
=6V
−
100
−
交流 特性
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
= 6 v; f = 1 MHz
−
0.3
−
pF
f
T
转变 频率 I
C
= 15 毫安; v
CE
= 6 v; f = 1 GHz
−
8
−
GHz
G
UM
最大 unilateral 电源 增益;
便条 1
I
C
= 15 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 1 GHz
−
15
−
dB
I
C
= 15 毫安; v
CE
=6v;
T
amb
=25
°
c; f = 2 GHz
−
9.5
−
dB
F 噪音 figure
Γ
S
=
Γ
opt
; i
C
= 5 毫安; v
CE
=6v;
f = 1 GHz
−
1.4
−
dB
Γ
S
=
Γ
opt
; i
C
= 5 毫安; v
CE
=6v;
f = 2 GHz
−
2
−
dB
G
UM
10
S
21
2
1S
11
2
–
()
1S
22
2
–
()
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