1999 8月 04 3
飞利浦 半导体 初步的 规格
pnp 中等 电源 晶体管 PBSS5540Z
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板, 单独的-sided 铜, tinplated, 挂载 垫子 为 集电级 1 cm
2
. 为 其它
挂载 情况, 看
“thermal 仔细考虑 为 sot223 在 这 一般 部分 的 有关联的 handbook”.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 92 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
30 V
−−−
100 nA
I
E
= 0; v
CB
=
−
30 v; t
j
= 150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
2v;
I
C
=
−
500 毫安 250 350
−
I
C
=
−
1 一个; 便条 1 200 300
−
I
C
=
−
2 一个; 便条 1
−
225
−
I
C
=
−
5 一个; 便条 1 50 100
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
5mA
−−
85
−
130 mV
I
C
=
−
1 一个; i
B
=
−
10 毫安
−−
130
−
180 mV
I
C
=
−
2 一个; i
B
=
−
200 毫安
−−
150
−
210 mV
I
C
=
−
5 一个; i
B
=
−
500 毫安
−
340 460 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
5 一个; i
B
=
−
500 毫安
−−−
1.3 V
V
BEon
根基-发射级 转变-在 电压 V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
2A
−
1.25
−
0.81
−
V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v;
f = 1 MHz
−
92 105 pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
500 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 100 MHz
50 100
−
MHz
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