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资料编号：54150
 
资料名称：IRG4BC30F
 
文件大小： 167.27K
   
说明：
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
 
 


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6 www.irf.com
图. 12
- 转变-止 soa
图. 11 -
典型 切换 losses vs.
集电级-至-发射级 电流
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0 10203040
C
总的 切换 losses (mj)
i , 集电级-至-发射级 电流(一个)
一个
r = 23
Ω
t = 150
°
C
v = 480v
v = 15v
G
J
CC
GE
1
10
100
1000
1 10 100 1000
C
CE
GE
V, collector-至-emitter voltage(v)
i , collector-至-emitter current (一个)
safe 运行 范围
V=20V
t =125
°
C
GE
J
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