飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 pbyr3045ptf 序列
肖特基 屏障
一般 描述 快 涉及 数据
双, 低 泄漏, 铂 屏障,
标识 参数 最大值 最大值 最大值 单位
肖特基 屏障 整流器 二极管 在 一个
全部 包装, 塑料 封套 featuring
pbyr30- 35PTF 40PTF 45PTF
低 向前 电压 漏出 和 V
RRM
repetitive 顶峰 反转 35 40 45 V
absence 的 贮存 承担. 这些 电压
设备 能 承受 反转 V
F
向前 电压 0.65 0.65 0.65 V
电压 过往旅客 和 有 I
o(av)
输出 电流 (两个都 20 20 20 一个
有保证的 反转 surge 能力. 二极管 组织)
这 设备 是 将 为 使用 在
切换 模式 电源 供应 和
高 频率 电路 在 一般
在哪里 低 传导 和 零
切换 losses 是 重要的.
固定 - sot199 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 anode 1 (一个)
2 cathode (k)
3 anode 2 (一个)
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
-35 -40 -45
V
RRM
repetitive 顶峰 反转 电压 - 35 40 45 V
V
RWM
crest working 反转 电压 - 35 40 45 V
V
R
持续的 反转 电压 T
hs
≤
113 ˚c - 35 40 45 V
I
o(av)
输出 电流 (两个都 二极管 正方形的 波;
δ
= 0.5; - 20 一个
组织) T
hs
≤
109 ˚c
I
o(rms)
rms 向前 电流 - 20 一个
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t = 25
µ
s;
δ
= 0.5; - 30 一个
每 二极管 T
hs
≤
109 ˚c
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 t = 10 ms - 135 一个
电流 每 二极管. t = 8.3 ms - 150 一个
sinusoidal; t
j
= 125 ˚c 较早的
至 surge; 和 reapplied
V
rwm(最大值)
I
2
德州仪器
2
t 为 fusing t = 10 ms - 91 一个
2
s
I
RRM
repetitive 顶峰 反转 电流 t
p
= 2
µ
s;
δ
= 0.001 - 2 一个
每 二极管.
I
RSM
非-repetitive 顶峰 反转 t
p
= 100
µ
s-2a
电流 每 二极管.
T
stg
存储 温度 -65 175 ˚C
T
j
运行 接合面 温度 - 150 ˚C
12
3
情况
k
a1
a2
1
2
3
8月 1996 1 rev 1.100
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