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飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 pbyr10100x 序列
肖特基 屏障
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-hs
热的 阻抗 接合面 - - 4 k/w
至 热温 下沉
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 在 自由 空气 - 55 - k/w
至 包围的
电的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
向前 电压 I
F
= 10 一个; t
j
= 125˚c - 0.64 0.74 V
I
F
= 20 一个; t
j
= 125˚c - 0.79 0.90 V
I
F
= 20 一个 - 0.94 1.00 V
I
R
反转 电流 V
R
= v
RWM
- 5 150
µ
一个
V
R
= v
RWM
; t
j
= 125˚c - 5 15 毫安
C
d
接合面 电容 V
R
= 5 v; f = 1 mhz, t
j
= 25˚c 至 125˚c - 420 - pF
十一月 1999 2 rev 1.000

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飞利浦半导体产品规格整流器二极管 pbyr10100x 序列肖特基屏障热的抵制标识参数情况最小值典型值最大值单位 R th j-hs 热的阻抗接合面 - - 4 k/w 至热温下沉 R th j-一个热的阻抗接合面在自由空气 - 55 - k/w 至包围的电的特性 T j = 25 ˚c 除非否则指定标识参数情况最小值典型值最大值单位 V F 向前电压 I F = 10 一个; t j = 125˚c - 0.64 0.74 V I F = 20 一个; t j = 125˚c - 0.79 0.90 V I F = 20 一个 - 0.94 1.00 V I R 反转电流 V R = v RWM - 5 150 µ 一个 V R = v RWM ; t j = 125˚c - 5 15 毫安 C d 接合面电容 V R = 5 v; f = 1 mhz, t j = 25˚c 至 125˚c - 420 - pF 十一月 1999 2 rev 1.000

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