内容
6
数据手册
07/27/01 -009
增加 图示 4,
3 volt intel strataflash
®
记忆 vf bga 包装 (32 mbit)
增加 图示 5,
3 volt intel strataflash
®
记忆 vf bga 机械的
规格
updated 运行 温度 范围 至 扩展 (部分 6.1 和 表格 22)
减少 t
EHQZ
至 35 ns. 减少 t
WHEH
至 0 ns
增加 参数 值 为 –40 °c 运作 至 锁-位 和 suspend latency
updated v
LKO
和 v
PENLK
至 2.2 v
移除 便条 #4, 部分 6.4 和 部分 6.6
minor text edits
10/31/01 -010
增加 注释 下面 含铅的 描述 为 vf bga 包装
移除 3.0 v - 3.6 v vcc, 和 vccq columns 下面 交流 特性
移除 字节 模式 读 电流 行 un 直流 特性
增加 订货 信息 为 vf bga 包装
minor text edits
03/21/02 -011
changed 数据手册 至 反映 这 最好的 知道 方法
updated 最大值 值 为 clear 块 锁-位 时间
minor text edits
12/12/02 -012 增加 命名法 为 j3c (0.18 µm) 设备.
01/24/03 -013
增加 115 ns 进入 速 64 mb j3c 设备. 增加 120 ns 进入 速 128
mb j3c 设备. 增加 “te” 包装 designator 为 j3c tsop 包装.
12/09/03 -014
修订 异步的 页 读 描述. 修订 写-至-缓存区 流动
chart. updated 定时 波形. 增加 256-mbit j3c 引脚.
1/3/04 -015
增加 256mbit 设备 timings, 设备 id, 和 cfi 信息. 也 corrected
vlko 规格.
1/23/04 -016 corrected 记忆 块 计数 从 257 至 255.
1/23/04 -016 记忆 块 计数 fix.
5/19/04 -018 restructured 这 数据手册 布局.
7/7/04 -019 增加 含铅的-自由 部分 号码 和 8-文字 页 信息.
11/23/04 -020
增加 便条 至 直流 电压 特性 表格; “speed bin” 至 读 行动
表格; corrected format 为 交流 波形 为 重置 运作 图示; corrected
“r” 和 “8w” headings 在 增强 配置 寄存器 表格 因为 它们
是 transposed; 增加 802 和 803 至 订货 信息 和 corrected 56-
含铅的 tsop 结合体 号码.
3/24/05 -021 corrected 订货 信息.
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