首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:542012
 
资料名称:PC3Q66Q
 
文件大小: 45.29K
   
说明
 
介绍:
Mini-flat Package, High Collector-Emitter Voltage Type Half Pitch Photocoupler
 
 


: 点此下载
  浏览型号PC3Q66Q的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号PC3Q66Q的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号PC3Q66Q的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PC3Q66Q
(
Ta= 25˚C
)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
F
I
F
= 20mA - 1.2 1.4 V
I
R
V
R
=4V - - 10
µ
一个
C
t
V = 0, f = 1kH
Z
- 30 250 pF
输出
I
CEO
V
CE
= 20v, i
F
= 0 - - 100 nA
BV
CEO
I
C
= 0.1ma, i
F
= 0 80 - - V
BV
ECO
I
E
=10
µ
一个, i
F
=0 6 - - V
转移
charac-
集电级 电流 I
C
I
F
= 1ma, v
CE
=5V 1 - 4 毫安
V
CE
(
sat
)
I
F
= 20ma, i
C
= 1mA - 0.1 0.2 V
dc500v 40 至 60% RH 5 x 10
10
10
11
-
C
f
V = 0, f = 1 mh
Z
- 0.6 1.0 pF
回馈 时间
上升 时间 t
r
V
CE
= 2v, i
C
= 2mA
R
L
= 100
-6-
下降 时间 t
f
-8-
electro-视力的 特性
反转 电流
集电级 dark 电流
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-集电级 损坏 电压
终端 电容
集电级-发射级 饱和 电压
分开 阻抗
floating 电容
teristics
R
ISO
µ
s
µ
s
0
-30
10
0 25 5055 75 100 125
20
30
40
50
60
图. 1 向前 电流 vs.
包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
向前 电流 i
F
(
毫安
)
70
0
100
80
60
40
20
0 50 55 100
图. 2 二极管 电源 消耗 vs.
包围的 温度
-30
0
0 125
100
200
50
150
25 50 75 100
包围的 温度
-30
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
图. 3 集电级 电源 消耗 vs.
- 30 0 25 50 75 100
0
50
100
150
200
250
170
包围的 温度
图. 4 电源 消耗 vs.
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
电源 消耗 p
tot
(
mW
)
向前 电流
二极管 电源 消耗 p
(
mW
)
300
包围的 温度 t
一个
(
˚C
)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com