PC74HCT14_集成电路资料查询网

2003 Oct 30 9
飞利浦 半导体 产品 规格
十六进制 inverting 施密特 触发 74hc14; 74hct14
类型 74hct14
在 推荐 运行 情况; 电压 是 关联 至 地 (ground=0v).
便条
1. 所有 典型 值 是 量过的 在 t
amb
=25
°
c.
标识 参数
测试 情况
最小值 典型值
(1)
最大值 单位
其它 V
CC
(v)
T
amb
=25
°
C
V
OH
高-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
I
O
=
−
20
µ
一个 4.5 4.4 4.5
−
V
I
O
=
−
4.0 毫安 4.5 3.98 4.32
−
V
V
OL
低-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
I
O
=20
µ
一个 4.5
−
0 0.1 V
I
O
= 4.0 毫安 4.5
−
0.15 0.26 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
I
=V
CC
或者 地 5.5
−−
0.1
µ
一个
I
CC
安静的 供应
电流
V
I
=V
CC
或者 地;
I
O
=0
5.5
−−
2.0
µ
一个
∆
I
CC
额外的 供应
电流 每 输入
V
I
=V
CC
−
2.1 v; i
O
= 0 4.5 至 5.5
−
30 108
µ
一个
T
amb
=
−
40 至 +85
°
C
V
OH
高-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
I
O
=
−
20
µ
一个 4.5 4.4
−−
V
I
O
=
−
4.0 毫安 4.5 3.84
−−
V
V
OL
低-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
I
O
=20
µ
一个 4.5
−−
0.1 V
I
O
= 4.0 毫安 4.5
−−
0.33 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
I
=V
CC
或者 地 5.5
−−
1.0
µ
一个
I
CC
安静的 供应
电流
V
I
=V
CC
或者 地;
I
O
=0
5.5
−−
20
µ
一个
∆
I
CC
额外的 供应
电流 每 输入
V
I
=V
CC
−
2.1 v; i
O
= 0 4.5 至 5.5
−−
135
µ
一个
T
amb
=
−
40 至 +125
°
C
V
OH
高-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
I
O
=
−
20
µ
一个 4.5 4.4
−−
V
I
O
=
−
4.0 毫安 4.5 3.7
−−
V
V
OL
低-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
I
O
=20
µ
一个 4.5
−−
0.1 V
I
O
= 4.0 毫安 4.5
−−
0.4 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
I
=V
CC
或者 地 5.5
−−
1.0
µ
一个
I
CC
安静的 供应
电流
V
I
=V
CC
或者 地;
I
O
=0
5.5
−−
40
µ
一个
∆
I
CC
额外的 供应
电流 每 输入
V
I
=V
CC
−
2.1 v; i
O
= 0 4.5 至 5.5
−−
147
µ
一个

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2003 Oct 30 9 飞利浦半导体产品规格十六进制 inverting 施密特触发 74hc14; 74hct14 类型 74hct14 在推荐运行情况; 电压是关联至地 (ground=0v). 便条 1. 所有典型值是量过的在 t amb =25 ° c. 标识参数测试情况最小值典型值 (1) 最大值单位其它 V CC (v) T amb =25 ° C V OH 高-水平的输出电压 V I =V IH 或者 V IL I O = − 20 µ 一个 4.5 4.4 4.5 − V I O = − 4.0 毫安 4.5 3.98 4.32 − V V OL 低-水平的输出电压 V I =V IH 或者 V IL I O =20 µ 一个 4.5 − 0 0.1 V I O = 4.0 毫安 4.5 − 0.15 0.26 V I LI 输入泄漏电流 V I =V CC 或者地 5.5 −− 0.1 µ 一个 I CC 安静的供应电流 V I =V CC 或者地; I O =0 5.5 −− 2.0 µ 一个 ∆ I CC 额外的供应电流每输入 V I =V CC − 2.1 v; i O = 0 4.5 至 5.5 − 30 108 µ 一个 T amb = − 40 至 +85 ° C V OH 高-水平的输出电压 V I =V IH 或者 V IL I O = − 20 µ 一个 4.5 4.4 −− V I O = − 4.0 毫安 4.5 3.84 −− V V OL 低-水平的输出电压 V I =V IH 或者 V IL I O =20 µ 一个 4.5 −− 0.1 V I O = 4.0 毫安 4.5 −− 0.33 V I LI 输入泄漏电流 V I =V CC 或者地 5.5 −− 1.0 µ 一个 I CC 安静的供应电流 V I =V CC 或者地; I O =0 5.5 −− 20 µ 一个 ∆ I CC 额外的供应电流每输入 V I =V CC − 2.1 v; i O = 0 4.5 至 5.5 −− 135 µ 一个 T amb = − 40 至 +125 ° C V OH 高-水平的输出电压 V I =V IH 或者 V IL I O = − 20 µ 一个 4.5 4.4 −− V I O = − 4.0 毫安 4.5 3.7 −− V V OL 低-水平的输出电压 V I =V IH 或者 V IL I O =20 µ 一个 4.5 −− 0.1 V I O = 4.0 毫安 4.5 −− 0.4 V I LI 输入泄漏电流 V I =V CC 或者地 5.5 −− 1.0 µ 一个 I CC 安静的供应电流 V I =V CC 或者地; I O =0 5.5 −− 40 µ 一个 ∆ I CC 额外的供应电流每输入 V I =V CC − 2.1 v; i O = 0 4.5 至 5.5 −− 147 µ 一个

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