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资料编号:542523
 
资料名称:PC929
 
文件大小: 95.46K
   
说明
 
介绍:
Shortcircuit Protector Circuit Built-in Photocoupler Suitable for Inverter-Driving MOS-FET/IGBT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
(ta=topr 除非 否则 指定)
electro-视力的 特性 (1)
真实 表格
输入
低 水平的 高 水平的 高 水平的
高 水平的 低 水平的 低 水平的
为 protective 运作
低 水平的 低 水平的 高 水平的
高 水平的 低 水平的 高 水平的
O
2
输出 fs outputc 输入/输出
*7 i 代表 向前 电流 当 输出 变得 从 "低" 至 "高".
FLH
*6 当 测量 输出 和 转移 特性, 连接 一个 绕过 电容 (0.01
µ
f 或者 更多) 在 v 13 和 地 14 near 这 设备.
CC
PC929
*8 fs=打开, v =0v
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
测量
电路
输入
向前 电压
V
F1
T
一个
= 25˚c, i
F
= 10mA - 1.6 1.75 V -
V
F2
T
一个
= 25˚c, i
F
= 0.2ma 1.2 1.5 - V -
反转 电流 I
R
T
一个
= 25˚c, v
R
=5V - - 10
µ
一个-
终端 电容 C
t
T
一个
= 25˚c, v = 0, f = 1kHz - 30 250 pF -
输出
运行 供应 电压
V
CC
T
一个
= - 10 60 ˚C 15 - 30 V
-
- 15 - 24 V
V
O1L
*8
V
CC1
= 12v, v
CC2
= - 12V
I
O1
= 0.1a, i
F
= 5mA
- 0.2 0.4 V
(
1
)
V
O2H
*8
V
CC
=V
O1
= 24v, i
O2
= - 0.1a
I
F
= 5mA
20 22 - V
(
2
)
V
O2L
*8
V
CC
=V
O1
= 24v, i
O2
= 0.1a, i
F
= 0mA
- 1.2 2.0 V
(
3
)
V
O1L
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 35v, i
F
= 0mA
*8
- - 500
µ
一个
(
4
)
高 水平的 供应 电流 I
CCH
*8
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 24v, i
F
= 5mA
-1017ma
(
6
)
*8
V
CC
=V
O1
= 24v, i
F
= 5mA
- - 19 毫安
低 水平的 供应 电流 I
CCL
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 24v, i
F
= 0mA
*8
-1118ma
V
CC
=V
O1
= 24v, i
F
= 0mA
*8
- - 20 毫安
转移 特性
*7
"低
高"
门槛 输入 电流
I
FLH
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 24V
*8
0.3 1.5 3.0 毫安
(
5
)
V
CC
=V
O1
= 24V
*8
0.2 - 5.0 毫安
分开 阻抗 R
ISO
T
一个
= 25˚c, dc500v, 40 to60% RH
5x10
10
1x10
11
--
回馈 时间
t
PLH
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 24V
*8
R
G
=47
, c
G
= 3 000pf, i
F
= 5mA
- 0.3 0.5
µ
s
(
8
)
t
PHL
- 0.3 0.5
µ
s
上升 时间 t
r
- 0.2 0.5
µ
s
下降 时间 t
f
- 0.2 0.5
µ
s
instantaneous 一般 模式 拒绝
电压 "输出 : 高 水平的"
CM
H
*8
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 24v, i
F
= 5mA
V
CM
= 600V
(
顶峰
)
,
V
O2H
= 2.0v
- 1 500
--v/
µ
s
(
7
)
instantaneous 一般 模式 拒绝
电压 "输出 : 低 水平的"
CM
L
T
一个
= 25˚c, v
CC
=V
O1
= 24v, i
F
= 0mA
V
CM
= 600V
(
顶峰
)
,
V
O2L
= 2.0v
*8
1 500
--v/
µ
s
"低
高" 传播 延迟 时间
"高
低" 传播 延迟 时间
O
1
低 水平的 输出 电压
O
2
高 水平的 输出 电压
O
2
低 水平的 输出 电压
o leak 电流
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