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uc3844b, uc3845b, uc2844b, uc2845b
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图示 24. 电流 波形 尖刺 抑制
+
−
5.0v ref
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S
R
Q
7(11)
6(10)
5(8)
3(5)
R
S
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CC
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在
C
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这 增加 的 这 rc 过滤 将 eliminate
instability 造成 用 这 leading 边缘 尖刺
在 这 电流 波形.
7(12)
竞赛/获得
T
图示 25. 场效应晶体管 parasitic 振动 图示 26. 双极 晶体管 驱动
+
−
S
R
5.0v ref
Q
7(11)
6(10)
5(8)
3(5)
R
S
Q1
V
CC
V
在
序列 门 电阻 r
g
将 damp 任何 高 频率
parasitic 振动 造成 用 这 场效应晶体管 输入
电容 和 任何 序列 线路 电感 在 这
gate−source 电路.
6(10)
5(8)
3(5)
R
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Q1
V
在
C1
根基 承担
除去
这 totem 柱子 输出 能 furnish 负的 根基 电流
为 增强 晶体管 turn−off, 和 这 增加 的
电容 c
1
.
I
B
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竞赛/获得
T
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uc3844b, uc3845b, uc2844b, uc2845b http://onsemi.com 12 图示 24. 电流波形尖刺抑制 + − 5.0v ref + − S R Q 7(11) 6(10) 5(8) 3(5) R S Q1 V CC V 在 C R 这增加的这 rc 过滤将 eliminate instability 造成用这 leading 边缘尖刺在这电流波形. 7(12) 竞赛/获得 T 图示 25. 场效应晶体管 parasitic 振动图示 26. 双极晶体管驱动 + − S R 5.0v ref Q 7(11) 6(10) 5(8) 3(5) R S Q1 V CC V 在序列门电阻 r g 将 damp 任何高频率 parasitic 振动造成用这场效应晶体管输入电容和任何序列线路电感在这 gate−source 电路. 6(10) 5(8) 3(5) R S Q1 V 在 C1 根基承担除去这 totem 柱子输出能 furnish 负的根基电流为增强晶体管 turn−off, 和这增加的电容 c 1 . I B + − 0 7(12) R g 竞赛/获得 T + −

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