2001 十一月 07 5
飞利浦 半导体 产品 规格
npn/pnp 电阻-配备 晶体管;
R1 = 4.7 k
Ω
, r2 = 打开
PEMD6
handbook, halfpage
10
3
10
2
MHC024
10
−
1
11010
2
h
FE
I
C
(毫安)
(1)
(3)
(2)
图.3 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
tr1 (npn);
V
CE
=5v.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
40
°
c.
handbook, halfpage
10
2
10
10
3
MHC025
10
−
1
110
V
CEsat
(mv)
I
C
(毫安)
10
2
(1)
(2)
(3)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
tr1 (npn);
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
40
°
c.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
MHC026
−
10
−
1
−
1
−
10
h
FE
I
C
(毫安)
−
10
2
(1)
(2)
(3)
图.5 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
tr2 (pnp);
V
CE
=
−
5v.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
40
°
c.
handbook, halfpage
−
10
−
10
2
−
10
3
MHC027
−
10
−
1
−
1
−
10
V
CEsat
(mv)
I
C
(毫安)
−
10
2
(1)
(2)
(3)
图.6 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
tr2 (pnp);
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
40
°
c.