PESD3V3S2UT_集成电路资料查询网

2004 Apr 15 7
飞利浦 半导体 产品 规格
翻倍 静电释放 保护 二极管
在 sot23 包装
pesdxs2ut 序列
V
R
(v)
054231
001aaa148
120
160
80
200
240
C
d
(pf)
40
(1)
(2)
图.6 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
T
amb
= 25
°
c; f = 1 mhz.
(1) pesd3v3s2ut; v
RWM
= 3.3 v.
(2) pesd5v2s2ut; v
RWM
=5v.
V
R
(v)
0252010 155
001aaa149
20
30
10
40
50
C
d
(pf)
0
(1)
(3)
(2)
图.7 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
T
amb
= 25
°
c; f = 1 mhz.
(1) pesd12vs2ut; v
RWM
=12v.
(2) pesd15vs2ut; v
RWM
=15v.
(3) pesd24vs2ut; v
RWM
=24v.

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2004 Apr 15 7 飞利浦半导体产品规格翻倍静电释放保护二极管在 sot23 包装 pesdxs2ut 序列 V R (v) 054231 001aaa148 120 160 80 200 240 C d (pf) 40 (1) (2) 图.6 二极管电容作一个函数的反转电压; 典型值. T amb = 25 ° c; f = 1 mhz. (1) pesd3v3s2ut; v RWM = 3.3 v. (2) pesd5v2s2ut; v RWM =5v. V R (v) 0252010 155 001aaa149 20 30 10 40 50 C d (pf) 0 (1) (3) (2) 图.7 二极管电容作一个函数的反转电压; 典型值. T amb = 25 ° c; f = 1 mhz. (1) pesd12vs2ut; v RWM =12v. (2) pesd15vs2ut; v RWM =15v. (3) pesd24vs2ut; v RWM =24v.

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