2004 二月 18 5
飞利浦 半导体 产品 规格
翻倍 静电释放 保护 二极管
在 sot23 包装
pesdxs2uat 序列
电的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
RWM
反转 保卫-止 电压
PESD3V3S2UAT
−−
3.3 V
PESD5V0S2UAT
−−
5V
PESD12VS2UAT
−−
12 V
PESD15VS2UAT
−−
15 V
PESD24VS2UAT
−−
24 V
I
RM
反转 泄漏 电流
PESD3V3S2UAT V
RWM
= 3.3 V
−
0.7 2
µ
一个
PESD5V0S2UAT V
RWM
= 5 V
−
0.1 1
µ
一个
PESD12VS2UAT V
RWM
= 12 V
−
<1 50 nA
PESD15VS2UAT V
RWM
= 15 V
−
<1 50 nA
PESD24VS2UAT V
RWM
= 24 V
−
<1 50 nA
V
BR
损坏 电压 I
Z
= 5 毫安
PESD3V3S2UAT 5.2 5.6 6.0 V
PESD5V0S2UAT 6.4 6.8 7.2 V
PESD12VS2UAT 14.7 15.0 15.3 V
PESD15VS2UAT 17.6 18.0 18.4 V
PESD24VS2UAT 26.5 27.0 27.5 V
C
d
二极管 电容 f = 1 mhz; v
R
=0V
PESD3V3S2UAT
−
207 300 pF
PESD5V0S2UAT
−
152 200 pF
PESD12VS2UAT
−
38 75 pF
PESD15VS2UAT
−
32 70 pF
PESD24VS2UAT
−
23 50 pF
V
(cl)r
夹紧 电压 注释 1 和 2
PESD3V3S2UAT I
pp
=1A
−−
7V
I
pp
=18A
−−
20 V
PESD5V0S2UAT I
pp
=1A
−−
9V
I
pp
=15A
−−
20 V
PESD12VS2UAT I
pp
=1A
−−
19 V
I
pp
=5A
−−
35 V
PESD15VS2UAT I
pp
=1A
−−
23 V
I
pp
=5A
−−
40 V
PESD24VS2UAT I
pp
=1A
−−
36 V
I
pp
=3A
−−
70 V