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产品 数据 薄板 rev. 01 — 14 六月 2004 8 的 15
飞利浦 半导体
pesdxs1ub 序列
静电释放 保护 二极管 在 sod 523 包装
(1) pesd3v3s1ub; v
RWM
= 3.3 v.
pesd5v0s1ub; v
RWM
= 5 v.
I
R
是 较少 比 10 na 在 150
°
c 为:
pesd12vs1ub; v
RWM
= 12 v.
pesd15vs1ub; v
RWM
= 15 v.
pesd24vs1ub; v
RWM
= 24 v.
图 7. 相关的 变化 的 反转 泄漏 电流 作 一个 函数 的 接合面 温度; 典型 值.
001aaa270
1
10
10
−
1
T
j
(
°
c)
−
100 150100050
−
50
I
R
I
r(25˚c)
(1)

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9397 750 13313 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有权利保留. 产品数据薄板 rev. 01 — 14 六月 2004 8 的 15 飞利浦半导体 pesdxs1ub 序列静电释放保护二极管在 sod 523 包装 (1) pesd3v3s1ub; v RWM = 3.3 v. pesd5v0s1ub; v RWM = 5 v. I R 是较少比 10 na 在 150 ° c 为: pesd12vs1ub; v RWM = 12 v. pesd15vs1ub; v RWM = 15 v. pesd24vs1ub; v RWM = 24 v. 图 7. 相关的变化的反转泄漏电流作一个函数的接合面温度; 典型值. 001aaa270 1 10 10 − 1 T j ( ° c) − 100 150100050 − 50 I R I r(25˚c) (1)

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