2004 三月 23 5
飞利浦 半导体 产品 规格
低 电容 5-fold 静电释放 保护
二极管 arrays 在 sot363 包装
pesd3v3l5uy;
PESD5V0L5UY
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. 非-repetitive 电流 脉冲波 8/20
µ
s exponentially decaying 波形; 看 图.2.
2. 量过的 从 任何 的 管脚 1, 3, 4, 5 或者 6 至 管脚 2.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 二极管
V
RWM
反转 保卫-止 电压
PESD3V3L5UY
−−
3.3 V
PESD5V0L5UY
−−
5V
I
RM
反转 泄漏 电流
PESD3V3L5UY V
RWM
= 3.3 V
−
75 300 nA
PESD5V0L5UY V
RWM
=5V
−
525nA
V
BR
损坏 电压 I
Z
=1mA
PESD3V3L5UY 5.3 5.6 5.9 V
PESD5V0L5UY 6.4 6.8 7.2 V
C
d
二极管 电容 f = 1 mhz; v
R
=0v;
看 图.5
PESD3V3L5UY
−
22 28 pF
PESD5V0L5UY
−
16 19 pF
V
cl(r)
夹紧 电压 注释 1 和 2
PESD3V3L5UY I
pp
=1A
−−
10 V
I
pp
= 2.5 一个
−−
12 V
PESD5V0L5UY I
pp
=1A
−−
10 V
I
pp
= 2.5 一个
−−
12 V
r
diff
差别的 阻抗 I
R
=1mA
PESD3V3L5UY
−−
200
Ω
PESD5V0L5UY
−−
100
Ω