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2004 三月 23 5
飞利浦 半导体 产品 规格
低 电容 quadruple 静电释放
保护 二极管 排列 在 sot353 包装
pesdxl4ug 序列
handbook, halfpage
05
26
6
10
14
18
22
1234
V
R
(v)
C
d
(pf)
MCE657
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
图.2 二极管 电容 作 一个 函数 的 反转
电压; 典型 值.
handbook, halfpage
10
1
10
−
1
MCE658
10
−
2
10
−
1
1
t
p
(ms)
I
ZSM
(一个)
10
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
图.3 最大 非-repetitive 顶峰 反转
电流 作 一个 函数 的 脉冲波 时间.
handbook, halfpage
10
1
10
2
MCE659
10
−
2
10
−
1
1
t
p
(ms)
P
ZSM
(w)
10
PESD3V3L4UG
PESD5V0L4UG
图.4 最大 非-repetitive 顶峰 反转
电源 消耗 作 一个 函数 的 脉冲波
持续时间 (正方形的 脉冲波).
handbook, halfpage
010
e
−
t
20
t (
µ
s)
I
pp
(%)
40
120
0
40
80
30
MLE218
100 % i
pp
; 8
µ
s
50 % i
pp
; 20
µ
s
图.5 8/20
µ
s 脉冲波 波形 符合 至
IEC 61000-4-5.

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2004 三月 23 5 飞利浦半导体产品规格低电容 quadruple 静电释放保护二极管排列在 sot353 包装 pesdxl4ug 序列 handbook, halfpage 05 26 6 10 14 18 22 1234 V R (v) C d (pf) MCE657 PESD3V3L4UG PESD5V0L4UG 图.2 二极管电容作一个函数的反转电压; 典型值. handbook, halfpage 10 1 10 − 1 MCE658 10 − 2 10 − 1 1 t p (ms) I ZSM (一个) 10 PESD3V3L4UG PESD5V0L4UG 图.3 最大非-repetitive 顶峰反转电流作一个函数的脉冲波时间. handbook, halfpage 10 1 10 2 MCE659 10 − 2 10 − 1 1 t p (ms) P ZSM (w) 10 PESD3V3L4UG PESD5V0L4UG 图.4 最大非-repetitive 顶峰反转电源消耗作一个函数的脉冲波持续时间 (正方形的脉冲波). handbook, halfpage 010 e − t 20 t ( µ s) I pp (%) 40 120 0 40 80 30 MLE218 100 % i pp ; 8 µ s 50 % i pp ; 20 µ s 图.5 8/20 µ s 脉冲波波形符合至 IEC 61000-4-5.

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