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资料编号:54673
 
资料名称:ADG734BRU
 
文件大小: 177.43K
   
说明
 
介绍:
CMOS, 2.5 ohm Low Voltage, Triple/Quad SPDT Switches
 
 


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rev. 0
–2–
adg733/adg734–specifications
1
b 版本
–40
C
参数 25
C 至 +85
C 单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
V
在 阻抗 (r
) 2.5
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
DS
= 10 毫安;
4.5 5.0
最大值 测试 电路 1
在-阻抗 相一致 在 0.1
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
DS
= 10 毫安
途径 (
R
) 0.4
最大值
在-阻抗 flatness (r
flat(在)
) 0.5
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
DS
= 10 毫安
1.2
最大值
泄漏 电流 V
DD
= 5.5 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.01 na 典型值 V
D
= 4.5 v/1 v, v
S
= 1 v/4.5 v;
±
0.1
±
0.3 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.01 na 典型值 V
D
= v
S
= 1 v, 或者 4.5 v;
±
0.1
±
0.5 na 最大值 测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.4 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005
µ
一个 典型值 V
= v
INL
或者 v
INH
±
0.1
µ
一个 最大值
C
, 数字的 输入 电容 4 pf 典型值
动态 特性
2
t
19 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
34 ns 最大值 V
S
= 3 v, 测试 电路 4
t
7 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
12 ns 最大值 V
S
= 3 v, 测试 电路 4
ADG733 t
(
EN
) 20 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
40 ns 最大值 V
S
= 3 v, 测试 电路 5
t
(
EN
) 7 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
12 ns 最大值 V
S
= 3 v, 测试 电路 5
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
13 ns 典型值 R
L
= 300
, c
L
= 35 pf;
1 ns 最小值 V
S
= 3 v, 测试 电路 6
承担 injection
±
3 pc 典型值 V
S
= 2 v, r
S
= 0
, c
L
= 1 nf;
测试 电路 7
止 分开 –62 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 10 mhz;
–82 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;
测试 电路 8
频道-至-频道 串扰 –62 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 10 mhz;
–82 db 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz;
测试 电路 9
–3 db 带宽 200 mhz 典型值 R
L
= 50
, c
L
= 5 pf, 测试 电路 8
C
S
(止) 11 pf 典型值
C
D
, c
S
(在) 34 pf 典型值
电源 (所需的)东西 V
DD
= 5.5 v
I
DD
0.001
µ
一个 典型值 数字的 输入 = 0 v 或者 5.5 v
1.0
µ
一个 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: b 版本: –40
°
c 至 +85
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(v
DD
= 5 v
10%, v
SS
= 0 v, 地 = 0 v, 除非 否则 指出.)
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