飞利浦 半导体
php/phb/phd45n03lta
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 02 十一月 2001 2 的 14
9397 750 09023
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
5. 快 涉及 数据
6. 限制的 值
表格 2: 快 涉及 数据
标识 参数 情况 Typ 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) T
j
=25to175
°
C - 25 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5V - 40 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
C - 65 W
T
j
接合面 温度 - 175
°
C
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 13 21 m
Ω
V
GS
=5v; i
D
= 25 一个 17.5 24 m
Ω
V
GS
= 3.5 v; i
D
=5.2a 2240m
Ω
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) T
j
=25to175
°
C - 25 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) T
j
=25to175
°
c; r
GS
=20k
Ω
-25v
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
15 V
V
GSM
门-源 电压 t
p
≤
50
µ
s; 搏动;
职责 循环 25 %; T
j
≤
150
°
C
-
±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5v;图示 2和 3 -40a
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=5v;图示 2 -30a
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 160 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1 -65w
T
stg
存储 温度
−
55 +175
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
55 +175
°
C
源-流 二极管
I
S
源 (二极管 向前) 电流 (直流) T
mb
=25
°
C - 40 一个
I
SM
顶峰 源 (二极管 向前) 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 160 一个
avalanche 强壮
E
作
非-repetitive avalanche 活力 unclamped inductive 加载;
I
D
= 40 一个; t
p
= 0.1 ms; v
DD
=15v;
R
GS
=50
Ω
; v
GS
= 5v; 开始 t
j
=25
°
c;
-60mj
: 点此下载
