PHB29N08T_集成电路资料查询网

飞利浦 半导体
php/phb29n08t
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 29 将 2002 7 的 13
9397 750 09651
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2002. 所有 权利 保留.
I
D
= 2ma; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=10V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
=0v;f=1mhz
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances 作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型 值.
03aj14
0
1.6
3.2
4.8
6.4
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
V
gs(th)
(v)
最小值
典型值
最大值
03aj13
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
23456
V
GS
(v)
I
D
(一个)
典型值 最大值
最小值
03aj11
10
10
2
10
3
10
4
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
rss

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

飞利浦半导体 php/phb29n08t trenchmos™ 标准水平的场效应晶体管产品数据 rev. 01 — 29 将 2002 7 的 13 9397 750 09651 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2002. 所有权利保留. I D = 2ma; v DS =V GS T j =25 ° c; v DS =10V 图 9. 门-源门槛电压作一个函数的接合面温度. 图 10. sub-门槛流电流作一个函数的门-源电压. V GS =0v;f=1mhz 图 11. 输入, 输出和反转转移 capacitances 作一个函数的流-源电压; 典型值. 03aj14 0 1.6 3.2 4.8 6.4 -60 0 60 120 180 T j ( ° c) V gs(th) (v) 最小值典型值最大值 03aj13 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 23456 V GS (v) I D (一个) 典型值最大值最小值 03aj11 10 10 2 10 3 10 4 10 -1 1 10 10 2 V DS (v) C (pf) C iss C oss C rss

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com