飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php130n03lt, phb130n03lt
逻辑 水平的 场效应晶体管
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 人 身体 模型 (100 pf, 1.5 k
Ω
)-2kv
电容 电压, 所有 管脚
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 - - 0.8 k/w
至 挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 sot78 包装, 在 自由 空气 - 60 - k/w
至 包围的 sot404 包装, pcb 挂载, 最小 - 50 - k/w
footprint
电的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安; 30 - - V
电压 T
j
= -55˚c 27 - - V
V
(br)gss
门-源 损坏 I
G
= 1 毫安 10 - - V
电压
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1 1.5 2 V
T
j
= 175˚c 0.5 - - V
T
j
= -55˚c - - 2.3 V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 5 v; i
D
= 25 一个 - 5 6 m
Ω
阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 - 4.5 5 m
Ω
V
GS
= 5 v; i
D
= 25 一个; t
j
= 175˚c - - 11 m
Ω
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 25 一个 20 40 - S
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
= 0 v; - 0.02 1
µ
一个
T
j
= 175˚c - - 10
µ
一个
I
DSS
零 门 电压 流 V
DS
= 30 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
电流 T
j
= 175˚c - - 500
µ
一个
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 75 一个; v
DD
= 24 v; v
GS
= 5 v - 92 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 10 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 36 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 15 v; i
D
= 25 一个; - 45 60 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 5 v; r
G
= 5
Ω
- 120 170 ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 225 300 ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 100 135 ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 tab 至 centre 的 消逝 - 3.5 - nH
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 至 centre 的 消逝 - 4.5 - nH
(sot78 包装 仅有的)
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 至 源 - 7.5 - nH
bond 垫子
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 5000 - pF
C
oss
输出 电容 - 1150 - pF
C
rss
反馈 电容 - 500 - pF
january 1998 2 rev 1.300
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