PHC2300_集成电路资料查询网

1997 Oct 24 8
飞利浦 半导体 产品 规格
complementary 增强 模式
mos 晶体管
PHC2300
图.8 输出 特性; n-频道
典型 值.
T
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
0
04812
v       (v)
DS
4.0 v
3.0 v
2.5 v
2.0 v
MRC237
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
D
(一个)
p = 1.0 w
V
GS
= 10 v
3.5 v
5.0 v
图.9 输出 特性; p-频道
典型 值.
T
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
−
12
−
600
−
800
−
400
0
−
200
MBH441
V
DS
(v)
I
D
(毫安)
V
GS
=
−
10 v
−
4.5 v
−
4.0 v
−
3.5 v
−
3.0 v
−
2.5 v
−
2.0 v
图.10 转移 典型的; n-频道
典型 值.
V
DS
= 10 v; t
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
handbook, halfpage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0246810
I
D
(一个)
V
GS
(v)
MRC243
V
DS
=
−
10 v; t
amb
=25
°
c; t
p
=80
µ
s;
δ
=0.
图.11 转移 典型的; p-频道
典型 值.
handbook, halfpage
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
−
200
−
400
−
600
−
800
0
MBH440
V
GS
(v)
I
D
(毫安)

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1997 Oct 24 8 飞利浦半导体产品规格 complementary 增强模式 mos 晶体管 PHC2300 图.8 输出特性; n-频道典型值. T amb =25 ° c; t p =80 µ s; δ =0. handbook, halfpage 0 04812 v (v) DS 4.0 v 3.0 v 2.5 v 2.0 v MRC237 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 I D (一个) p = 1.0 w V GS = 10 v 3.5 v 5.0 v 图.9 输出特性; p-频道典型值. T amb =25 ° c; t p =80 µ s; δ =0. handbook, halfpage 0 − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 − 12 − 600 − 800 − 400 0 − 200 MBH441 V DS (v) I D (毫安) V GS = − 10 v − 4.5 v − 4.0 v − 3.5 v − 3.0 v − 2.5 v − 2.0 v 图.10 转移典型的; n-频道典型值. V DS = 10 v; t amb =25 ° c; t p =80 µ s; δ =0. handbook, halfpage 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0246810 I D (一个) V GS (v) MRC243 V DS = − 10 v; t amb =25 ° c; t p =80 µ s; δ =0. 图.11 转移典型的; p-频道典型值. handbook, halfpage 0 − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 − 200 − 400 − 600 − 800 0 MBH440 V GS (v) I D (毫安)

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