飞利浦 半导体
phb/phd38n02lt
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 30 六月 2003 7 的 13
9397 750 11614
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I
D
= 0.25 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
=0v;f=1mhz
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances 作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型 值.
03al82
0
0.5
1
1.5
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
V
gs(th)
(v)
最小值
最大值
典型值
03an65
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V
GS
(v)
I
D
(一个)
最小值 最大值典型值
03al28
10
2
10
3
10
4
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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