飞利浦 半导体
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n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 14 十一月 2001 6 的 14
9397 750 08916
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 175
°
c; v
DS
≥
I
D
x r
DSON
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
60
40
20
0
I
D
(一个)
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
V
DS
(v)
5 v
V
GS
= 3 v
3.5 v
4 v
10 v
4.5 v
6 v
003aaa169
T
j
= 175
ο
C
T
j
= 25
ο
C
0
2
3
4
V
GS
(v)
40
30
20
0
10
I
D
(一个)
003aaa170
40
20
0
R
DSon
(m
Ω
)
I
D
(一个)
01020304050
V
GS
= 3 v
3.5 v
5 v
6 v
10 v
4 v
60
003aaa171
03aa27
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
o
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=
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