飞利浦 半导体
php/phb/phd66nq03lt
n-频道 trenchmos 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 10 12月 2001 8 的 14
9397 750 09119
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
c 和 175
°
c; v
GS
=0V I
D
= 50 一个; v
DD
= 15 v
图 12. 源 (二极管 向前) 电流 作 一个 函数 的
源-流 (二极管 向前) 电压; 典型
值.
图 13. 门-源 电压 作 一个 函数 的 门
承担; 典型 值.
03ag23
0
15
30
45
60
75
0 0.3 0.6 0.9 1.2
V
SD
(v)
I
S
(一个)
T
j
= 25 ºc
175 ºc
V
GS
= 0 v
03ag25
0
2
4
6
8
10
0102030
Q
G
(nc)
V
GS
(v)
I
D
= 50 一个
T
j
= 25 ºc
V
DD
= 15 v