MHPM6B15E60D3 MHPM6B10E60D3 MHPM6B7E60D3
2
motorola igbt 设备 数据
最大 设备 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
平均 转换器 输出 电流 (peak–to–average 比率 的 10, t
C
= 95
°
c) I
Omax
20 一个
持续的 输入 整流器 电流 (t
C
= 25
°
c) I
直流
20 一个
non–repetitive 顶峰 输入 整流器 向前 surge 电流
(2)
(t
J
= 95
°
c 较早的 至 开始 的 surge)
I
FSM
475 一个
igbt 电源 消耗 每 消逝 (t
C
= 95
°
c) 7E60
10E60
15E60
P
D
14
17
23
W
free–wheeling 二极管 电源 消耗 每 消逝 (t
C
= 95
°
c) 7E60
10E60
15E60
P
D
7.4
9.0
13
W
输入 整流器 电源 消耗 每 消逝 (t
C
= 95
°
c) P
D
13 W
接合面 温度 范围 T
J
– 40 至 +150
°
C
短的 电路 持续时间 (v
CE
= 400 v, t
J
= 125
°
c) t
sc
10
m
s
分开 电压, 管脚 至 baseplate V
ISO
2500 Vac
运行 情况 温度 范围 T
C
– 40 至 +95
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 40 至 +150
°
C
挂载 torque — 热温 下沉 挂载 孔 — 12 lb–in
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
直流 和 小 信号 特性
输入 整流器 向前 电压 (i = 15 一个)
T
J
= 125
°
C
V
F
—
—
0.97
0.88
1.2
—
V
最大 instantaneous 反转 电流 (v = 900 v)
T
J
= 150
°
C
I
R
—
—
50
3000
—
—
m
一个
gate–emitter 泄漏 电流 (v
CE
= 0 v, v
GE
=
±
20 v) I
GES
— —
±
50
m
一个
collector–emitter 泄漏 电流 (v
CE
= 600 v, v
GE
= 0 v) I
CES
— 5.0 100
m
一个
gate–emitter 门槛 电压 (v
CE
= v
GE
, i
C
= 1.0 毫安) V
ge(th)
4.0 6.0 8.0 V
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 10 毫安, v
GE
= 0 v) V
(br)ces
600 — — V
collector–emitter 饱和 电压 (i
C
= i
Cmax
, v
GE
= 15 v)
T
J
= 125
°
C
V
ce(sat)
—
—
2.0
1.8
2.4
—
V
free–wheeling 二极管 向前 电压 (i
F
= i
Fmax
, v
GE
= 0 v)
T
J
= 125
°
C
V
F
—
—
2.0
1.8
2.3
—
V
输入 电容 (v
GE
= 0 v, v
CE
= 10 v, f = 1.0 mhz) 7E60
10E60
15E60
C
ies
—
—
—
780
1020
1605
—
—
—
pF
热的 特性 (各自 消逝)
热的 阻抗 — igbt 7E60
10E60
15E60
R
q
JC
—
—
—
3.1
2.6
1.9
3.8
3.2
2.4
°
c/w
热的 阻抗 — free–wheeling 二极管 7E60
10E60
15E60
R
q
JC
—
—
—
6.0
4.8
3.4
7.5
6.1
4.2
°
c/w
热的 阻抗 — 输入 整流器
R
q
JC
— 3.4 4.2
°
c/w
(2) 1.0 ms = 10% 脉冲波 宽度 (t
w
10%)
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