飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php50n03lt, phb50n03lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD50N03LT
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 - - 1.75 k/w
至 挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 sot78 包装, 在 自由 空气 - 60 - k/w
至 包围的 sot404 和 sot428 包装, pcb - 50 - k/w
挂载, 最小 footprint
avalanche 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
W
DSS
流-源 非-repetitive I
D
= 25 一个; v
DD
≤
15 v; - 60 mJ
unclamped inductive 转变-止 V
GS
= 5 v; r
GS
= 50
Ω
; t
mb
= 25 ˚c
活力
电的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安; 25 - - V
电压 T
j
= -55˚c 22 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1 1.5 2 V
T
j
= 175˚c 0.5 - - V
T
j
= -55˚c - - 2.3 V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 - 13 16 m
Ω
阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 (sot428 包装) - 15 18 m
Ω
V
GS
= 5 v; i
D
= 25 一个 - 18 21 m
Ω
V
GS
= 5 v; i
D
= 25 一个; t
j
= 175˚c - - 39 m
Ω
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 25 一个 8 27 - S
I
DSS
零 门 电压 流 V
DS
= 25 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
电流 T
j
= 175˚c - - 500
µ
一个
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
= 0 v - 10 100 nA
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 50 一个; v
DD
= 15 v; v
GS
= 5 v - 17 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 7.6 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 11 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 15 v; i
D
= 25 一个; - 6.4 12 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 10 v; r
G
= 5
Ω
-6275ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 50 75 ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 30 45 ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 tab 至 centre 的 消逝 - 3.5 - nH
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 至 centre 的 消逝 - 4.5 - nH
(sot78 包装 仅有的)
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 至 源 - 7.5 - nH
bond 垫子
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 1050 - pF
C
oss
输出 电容 - 330 - pF
C
rss
反馈 电容 - 220 - pF
october 1999 2 rev 1.800
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