飞利浦 半导体
php95n03lt 序列
n-频道 trenchmos 晶体管
产品 规格 rev. 01 — 02 二月 2001 5 的 15
9397 750 07814
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8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 0.25 毫安; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C25
−−
V
T
j
=
−
55
°
C22
−−
V
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C 1 1.5 2 V
T
j
= 175
°
C 0.5
−−
V
T
j
=
−
55
°
C
−−
2.3 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=25v; v
GS
=0V
T
j
=25
°
C
−
0.05 10
µ
一个
T
j
= 175
°
C
−−
500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
=0V
−
10 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=5v; i
D
=25a;图示 7 和 8
T
j
=25
°
C
−
7.5 9 m
Ω
T
j
= 175
°
C
−
13 15.5 m
Ω
V
GS
=10v; i
D
=25a;
T
j
=25
°
C
−
57m
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=25v; i
D
=50A图示 11
−
50
−
S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 50 一个; v
DD
=12v; v
GS
= 4.5 v;
图示 14
−
43
−
nC
Q
gs
门-源 承担
−
12
−
nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担
−
16
−
nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz; 图示 12
−
2200
−
pF
C
oss
输出 电容
−
770
−
pF
C
rss
反转 转移 电容
−
500
−
pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=15v; i
D
= 15 一个; v
GS
=10v;
R
G
=6
Ω
; resistive 加载
−
10 20 ns
t
r
转变-在 上升 时间
−
30 50 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
−
110 140 ns
t
f
转变-止 下降 时间
−
80 100 ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 25 一个; v
GS
=0v;图示 13
−
0.85 1.2 V
I
S
=40a;v
GS
=0V
−
0.9
−
V