飞利浦 半导体
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n-频道 增强 模式 field 效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 06 十一月 2001 2 的 13
9397 750 09024
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5. 快 涉及 数据
6. 限制的 值
表格 2: 快 涉及 数据
标识 参数 情况 Typ 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) - 60 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5V - 34 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
C - 97 W
T
j
接合面 温度 - 175
°
C
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 T
j
=25
°
c; v
GS
=5v; i
D
= 20 一个 30 40 m
Ω
T
j
=25
°
c; v
GS
= 4.5 v; i
D
= 20 一个 - 43 m
Ω
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) - 60 V
V
DGR
流-门 电压 (直流) R
GS
=20k
Ω
-60v
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
15 V
V
GSM
非-repetitive 门-源 电压 t
p
≤
50
µ
s-
±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=5v;图示 2 和 3 -34a
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=5v;图示 2 -24a
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 136 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1 -97w
T
stg
存储 温度
−
55 +175
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
55 +175
°
C
源-流 二极管
I
S
反转 流 电流 (直流) T
mb
=25
°
C - 34 一个
I
SM
搏动 反转 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 136 一个
avalanche 强壮
W
DSS
非-repetitive avalanche 活力 unclamped inductive 加载; i
D
=20a;
t
p
= 0.11 ms; v
DS
≤
25 v; v
GS
=5v;
R
GS
=50
Ω
; 开始 T
j
=25
°
C
- 100 mJ