飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHP45N03LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
静态的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安; 30 - - V
电压 T
j
= -55˚c 27 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1 1.5 2 V
T
j
= 175˚c 0.5 - - V
T
j
= -55˚c - - 2.3
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 30 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
T
j
= 175˚c - - 500
µ
一个
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
= 0 v - 10 100 nA
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 5 v; i
D
= 25 一个 - 20 24 m
Ω
阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 25 一个 - 16 21 m
Ω
V
GS
= 5 v; i
D
= 25 一个; t
j
= 175˚c - - 45 m
Ω
动态 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 25 一个 8 16 - S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 40 一个; v
DD
= 24 v; v
GS
= 5 v - 23 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 3 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 12 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 2000 2500 pF
C
oss
输出 电容 - 380 450 pF
C
rss
反馈 电容 - 250 300 pF
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 15 v; i
D
= 25 一个; - 30 45 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 5 v; r
G
= 5
Ω
- 80 130 ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 95 135 ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 40 55 ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 联系 screw 在 - 3.5 - nH
tab 至 centre 的 消逝
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 6 mm - 4.5 - nH
从 包装 至 centre 的 消逝
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 6 mm - 7.5 - nH
从 包装 至 源 bond 垫子
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
DR
持续的 反转 流 - - 45 一个
电流
I
DRM
搏动 反转 流 电流 - - 180 一个
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 25 一个; v
GS
= 0 v - 0.95 1.2 V
I
F
= 40 一个; v
GS
= 0 v - 1.0 -
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 40 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 52 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= -10 v; v
R
= 25 v - 0.08 -
µ
C
十一月 1997 2 rev 1.200