飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 php6n60e, phb6n60e
avalanche 活力 评估
电的 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安 600 - - V
电压
∆
V
(br)dss
/ 流-源 损坏 V
DS
= v
GS
; i
D
= 0.25 毫安 - 0.1 - %/k
∆
T
j
电压 温度
系数
R
ds(在)
流-源 在 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 2.7 一个 - 1.5 1.8
Ω
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 0.25 毫安 2.0 3.0 4.0 V
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 30 v; i
D
= 2.7 一个 2 3.4 - S
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
= 600 v; v
GS
= 0 v - 2 100
µ
一个
V
DS
= 480 v; v
GS
= 0 v; t
j
= 125 ˚c - 50 500
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
30 v; v
DS
= 0 v - 10 200 nA
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 5.4 一个; v
DD
= 480 v; v
GS
= 10 v - 50 65 nC
Q
gs
门-源 承担 - 5 8 nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 26 35 nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 300 v; r
D
= 56
Ω
; - 15 - ns
t
r
转变-在 上升 时间 R
G
= 12
Ω
-35-ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 90 - ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 40 - ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 tab 至 centre 的 消逝 - 3.5 - nH
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 至 centre 的 消逝 - 4.5 - nH
(sot78 包装 仅有的)
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 至 源 - 7.5 - nH
bond 垫子
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 650 - pF
C
oss
输出 电容 - 85 - pF
C
rss
反馈 电容 - 50 - pF
源-流 二极管 比率 和 特性
T
j
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 T
mb
= 25˚c - - 5.4 一个
(身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 (身体 T
mb
= 25˚c - - 21 一个
二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 I
S
= 5.4 一个; v
GS
= 0 v - - 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 5.4 一个; v
GS
= 0 v; di/dt = 100 一个/
µ
s - 480 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 - 4 -
µ
C
12月 1998 3 rev 1.300
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