飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHT8N06LT
逻辑 水平的 场效应晶体管
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-sp
从 接合面 至 焊盘 要点 挂载 在 任何 pcb 12 15 k/w
R
th j-amb
从 接合面 至 包围的 挂载 在 pcb 的 图.17 - 70 k/w
静态的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安 55 - - V
电压 T
j
= -55˚c 50 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
T
j
= 150˚c 0.6 - - V
T
j
= -55˚c - - 2.3 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 55 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
T
j
= 150˚c - - 100
µ
一个
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v - 0.02 1
µ
一个
T
j
= 150˚c - - 5
µ
一个
±
V
(br)gss
门 源 损坏 电压 I
G
=
±
1 毫安 10 - - V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 5 v; i
D
= 5 一个 - 65 80 m
Ω
阻抗 T
j
= 150˚c - - 148 m
Ω
动态 特性
T
mb
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 5 一个; t
j
= 25˚c 4 - - S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 7 一个; v
DD
= 44 v; v
GS
= 5 v - 11.2 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 2.2 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 5 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 500 650 pF
C
oss
输出 电容 - 110 135 pF
C
rss
反馈 电容 - 60 85 pF
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; i
D
= 7 一个; - 10 15 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 5 v; r
G
= 10
Ω
; - 30 50 ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 - 30 45 ns
t
f
转变-止 下降 时间 T
j
= 25˚c - 30 40 ns
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= -55 至 175˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
DR
持续的 反转 流 T
sp
= 25˚c - - 7.5 一个
电流
I
DRM
搏动 反转 流 电流 T
sp
= 25˚c - - 40 一个
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 5 一个; v
GS
= 0 v - 0.85 1.1 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 5 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 38 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= -10 v; v
R
= 30 v - 0.2 -
µ
C
january 1998 2 rev 1.100
: 点此下载
