1998 微芯 技术 公司 ds40175a-页 5
非易失存储器 记忆 程序编制 规格
图示 1-1: 程序 流动 chart - pic12c67x 和 pic12ce67x 程序 记忆
开始
设置 v
DD
= v
DDP
•
n = n + 1
加载 数据
Command
increment 地址
Command
report 核实
@ v
DD
最大值
错误
终止 程序编制
Command
begin 程序编制
Command
应用 3n 额外的
程序 循环
读 数据
Command
Prog
内存 循环
程序 循环
n > 25
数据 准确无误的?
完毕
非
Yes
Yes
非
非
Yes
设置 v
PP
= v
IHH1
n = 0
所有 locations 完毕?
核实 所有 locations
@ v
DD
最小值
.•
V
PP
= v
IHH2
数据 准确无误的?
Yes
核实 所有 locations
@ v
DD
最大值
.
V
PP
= v
IHH2
数据 准确无误的?
Yes
report 程序编制
失败
wait 100
µ
s
report 核实
@ v
DD
最小值
.
错误
非
非
•
V
DDP
=
V
DD
范围 为 程序编制 (典型地 4.75v - 5.25v).
V
DD
最小值
.
= 最小
V
DD
为 设备 运作.
V
DD
最大值
.
= 最大
V
DD
为 设备 运作.
n = # 的 程序 循环
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