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PIIPM15P12D007 I27179 22 - sep
电的 特性: 反相器 和 brake
为 恰当的 运作 这 设备 应当 是 使用 在里面 这 推荐 情况.
T
J
= 25°c (除非 否则 指定)
标识 参数 定义 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况 图.
V
(br)ces
 集电级 至 发射级 损坏 电压 1200   V
V
GE
= 0v, i
C
= 250
µ
一个
∆
V
(br)ces /
∆
T
温度 coeff. 的 损坏 voltage +1.2
v/
º
c v
GE
= 0v, i
C
= 1ma (25 - 125
º
c)
2.70 3.00 I
C
= 15a, v
GE
= 15v 5, 6
3.74 4.24 I
C
= 30a, v
GE
= 15v 7, 9
V
ce(在)
 集电级 至 发射级 饱和 电压
3.14 3.61
V
I
C
= 15a, v
GE
= 15v, t
J
= 125
º
C
10, 11
V
ge(th)
 门 门槛 电压 4.68 4.89 5.30 V
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250
µ
一个
∆
V
ge(th) /
∆
Tj
温度 coeff. 的 门槛 voltage  -9.80
mv/
º
c v
CE
= v
GE
, i
C
= 1ma (25 - 125
º
c)
12
g
fe
向前 trasconductance 8 9 10 s
V
CE
= 50v, i
C
= 15a, pw = 80
µ
s
125 V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
376 1110
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 125
º
C
I
CES
 零 门 电压 集电级 电流
2000
µ
一个
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150
º
C
2.32 2.52 I
C
= 15a
V
FM
 二极管 向前 电压 漏出
2.47 2.64
V
I
C
= 15a, t
J
= 125
º
C
8
I
GES
 门 至 发射级 泄漏 电流   ±100
nA
V
GE
=
±
20V
r1/2/3 感觉到 电阻器 9.9 10 10.1
m
Ω
电的 特性: 桥
为 恰当的 运作 这 设备 应当 是 使用 在里面 这 推荐 情况.
T
J
= 25°c (除非 否则 指定)
标识 参数 定义 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况 图.
1.24 1.76
t
p
= 400
µ
s, i
pk
= 30a
V
FM
 向前 电压 漏出
1.08 1.27
V
t
p
= 400
µ
s, i
pk
= 15a
24
V
f(至)
门槛 电压 0.78 V
T
J
= 125
º
C
I
rm
 反转 泄漏 电流   5 毫安
T
J
= 125
º
C
V
R
= 1200v

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www.irf.com 7 PIIPM15P12D007 I27179 22 - sep 电的特性: 反相器和 brake 为恰当的运作这设备应当是使用在里面这推荐情况. T J = 25°c (除非否则指定) 标识参数定义最小值典型值最大值单位测试情况图. V (br)ces 集电级至发射级损坏电压 1200 V V GE = 0v, i C = 250 µ 一个 ∆ V (br)ces / ∆ T 温度 coeff. 的损坏 voltage +1.2 v/ º c v GE = 0v, i C = 1ma (25 - 125 º c) 2.70 3.00 I C = 15a, v GE = 15v 5, 6 3.74 4.24 I C = 30a, v GE = 15v 7, 9 V ce(在) 集电级至发射级饱和电压 3.14 3.61 V I C = 15a, v GE = 15v, t J = 125 º C 10, 11 V ge(th) 门门槛电压 4.68 4.89 5.30 V V CE = v GE , i C = 250 µ 一个 ∆ V ge(th) / ∆ Tj 温度 coeff. 的门槛 voltage -9.80 mv/ º c v CE = v GE , i C = 1ma (25 - 125 º c) 12 g fe 向前 trasconductance 8 9 10 s V CE = 50v, i C = 15a, pw = 80 µ s 125 V GE = 0v, v CE = 1200v 376 1110 V GE = 0v, v CE = 1200v, t J = 125 º C I CES 零门电压集电级电流 2000 µ 一个 V GE = 0v, v CE = 1200v, t J = 150 º C 2.32 2.52 I C = 15a V FM 二极管向前电压漏出 2.47 2.64 V I C = 15a, t J = 125 º C 8 I GES 门至发射级泄漏电流 ±100 nA V GE = ± 20V r1/2/3 感觉到电阻器 9.9 10 10.1 m Ω 电的特性: 桥为恰当的运作这设备应当是使用在里面这推荐情况. T J = 25°c (除非否则指定) 标识参数定义最小值典型值最大值单位测试情况图. 1.24 1.76 t p = 400 µ s, i pk = 30a V FM 向前电压漏出 1.08 1.27 V t p = 400 µ s, i pk = 15a 24 V f(至) 门槛电压 0.78 V T J = 125 º C I rm 反转泄漏电流 5 毫安 T J = 125 º C V R = 1200v

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