首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置：首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号：549560
 
资料名称：PIP3201-A
 
文件大小： 196.17K
   
说明：
 
介绍:
PowerMOS transistor TOPFET high side switch
 
 


: 点此下载
  浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第4页
4 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第5页
5 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第6页
6 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第7页
7
8 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第9页
9 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第10页
10 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第11页
11 		浏览型号PIP3201-A的Datasheet PDF文件第12页
12 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 数据
powermos 晶体管 pip3201-一个
topfet 高 一侧 转变
图.10. 典型 供应 安静的 电流.
I
B
= f(t
j
); 情况 v
BG
= 16 v, v
IG
= 0 v, v
LG
= 0 v
图.11. 典型 止-状态 泄漏 电流.
I
L
= f(t
j
); 情况 v
BL
= 16 v = v
BG
, v
IG
= 0 v.
图.12. 状态 泄漏 电流.
I
S
= f(t
j
); 情况 v
SG
= 5 v, v
IG
= v
BG
= 0 v
图.13. 低 加载 电流 发现 门槛.
I
l(oc)
= f(t
j
); 情况 v
IG
= 5 v; v
BG
≥
9 v
图.14. 供应 欠压 门槛.
V
bg(uv)
= f(t
j
); 情况 v
IG
= 5 v; v
BL
≤
2 v
图.15. 供应 超（电）压 门槛.
V
bg(ov)
= f(t
j
); 情况 v
IG
= 5 v; i
L
= 100 毫安
100e-12
1e-9
10e-9
100e-9
1e-6
10e-6
100e-6
-50 0 50 100 150 200
I
B
/ 一个
T
j
/
O
C
最大值
典型值
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
-50 0 50 100 150 200
T
j
/
O
C
I
l(oc)
/ 一个
典型值
最小值
最大值
10e-12
00e-12
1e-9
10e-9
100e-9
1e-6
10e-6
100e-6
-50 0 50 100 150 200
T
j
/
O
C
I
L
/ 一个
最大值
典型值
2.5
3.5
4.5
5.5
-50 0 50 100 150 200
T
j
/
O
C
V
bg(uv)
/ v
典型值
在
止
1e-9
10e-9
100e-9
1e-6
10e-6
100e-6
-50 0 50 100 150 200
T
j
/
O
C
I
S
/ 一个
最大值
典型值
35
40
45
50
55
-50 0 50 100 150 200
T
j
/
O
C
V
bg(ov)
/ v
最大值
最小值
止
在
将 2001 8 rev 1.010
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标　题:
内　容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
　     
关于我们 | 联系我们
电    话：13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com